長鑫科技科創板上市:國產DRAM產業自主化進程加速
- 來源:華福證券
- 發布時間:2026/07/29
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新興產業行業:長鑫科技正式上市,國產半導體步入新階段.pdf
研究背景與目的本報告為華福證券新興產業行業定期報告,聚焦長鑫科技科創板上市事件,分析國產DRAM產業發展階段、市場需求驅動及產業鏈協同效應,并對A股、港股、美股及北交所市場進行周度復盤。核心事件長鑫科技將于2026年7月27日正式登陸科創板,發行價8.66元/股,對應發行后市值約5792億元,募資超576億元。作為國內規模最大、技術最先進的DRAM研發設計制造一體化企業,本次上市是國產存儲借助資本市場加速技術迭代與產能擴張的關鍵節點。市場需求與行業數據據Omdia預測,全球DRAM市場規模將從2025年的約1505億美元快速擴容至2030年的5710億美元,年均復合增長率高達30.56%;其中...
長鑫科技登陸科創板,國產存儲迎來關鍵節點
長鑫科技將于2026年7月27日正式掛牌科創板,作為國內規模最大、技術最先進的DRAM研發設計制造一體化企業,本次上市標志著國產存儲產業借助資本市場加速技術迭代與產能擴張進入新階段。公司采取"跳代研發"策略,已完成從第一代到第四代工藝技術平臺量產,產品覆蓋DDR系列與LPDDR系列,可提供DRAM晶圓、芯片、模組等多元化產品方案。
AI驅動DRAM需求結構性增長
DRAM行業近年來受益于AI、云計算及大數據爆發,全球市場規模呈現強勁增長態勢。根據Omdia預測,受海量數據處理需求驅動,全球DRAM市場規模將快速擴容;其中服務器DRAM將成為增長最快的細分賽道,受數據中心擴張與算力需求提升影響,其市場規模占比預計大幅躍升。長鑫科技業績隨之出現歷史性反轉,2026年一季度營業收入同比增長超700%,歸母凈利潤同比增長超1600%。
募資投向高端存儲技術突破
據公司招股說明書,本次募集資金中近三百億元擬投向DRAM主業三大板塊,涵蓋存儲器晶圓制造量產線技術升級改造、DRAM存儲器技術升級及動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發,為未來DDR5、LPDDR5X及HBM等高端產品布局提供資金保障。公司上市后將進一步強化研發能力和制造能力。
產業鏈協同效應與國產替代空間
DRAM領域技術壁壘與資金門檻極高,全球市場呈現高度寡頭壟斷格局,三家國際巨頭合計占據全球九成以上市場份額。長鑫科技作為國產廠商正加速突圍,有效填補國內龐大市場的供給缺口。從產業鏈來看,上游主要包括IP、EDA、半導體設備及零部件、材料等基礎支撐環節;中游涵蓋DRAM設計、晶圓制造及封裝測試環節;下游面向服務器、移動設備、個人電腦等廣泛應用領域。
設備材料環節迎來規模化導入機遇
長鑫科技IPO募集的資金將大規模投向研發與設備購置,半導體設備是擴產最直接的受益環節,從薄膜沉積、刻蝕、CMP到檢測測試設備,國內多家頭部設備廠商已進入長鑫供應鏈,部分品類實現規模化出貨。隨著現有產線高負荷運轉及新增產能落地,上游材料企業將在穩定的存量業務基礎上迎來增量需求釋放;封測與存儲模組廠商與長鑫的合作將持續深化產品導入,共同驅動國產半導體生態升級。
全球科技板塊資金輪動與市場情緒
本周美股資金呈現撤離科技成長、回流價值藍籌態勢,納斯達克指數下行,美國科技七巨頭指數調整明顯。大中華市場呈現港強A弱格局,周五市場大跌縮量,科技情緒觸及冰點。中短期來看,海外云廠商繼續加大AI投資,算力租賃企業回報驗證行業需求,短期交易擁擠問題仍存,科技中長期行情仍受看好。
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