芯碁微裝：mSAP驅動LDI量價齊升，大尺寸封裝打開成長空間

AI驅動高端PCB工藝升級，mSAP成為LDI核心增長引擎

AI算力需求爆發推動高速光模塊向800G及以上速率迭代，PCB線路精度與布線密度要求持續提升。mSAP（改良半加成工藝）憑借更精細的線路制造能力，逐步成為800G及以上光模塊PCB的主流工藝路線。與傳統減成法相比，mSAP通過超薄種子層與差分蝕刻技術，可將線寬線距壓縮至15-25μm級別，銅線路側壁接近垂直，顯著抑制側蝕效應。

工藝升級直接拉動高精度LDI（激光直接成像）設備需求。mSAP制程中，線路圖形由LDI曝光定義，閃蝕帶來的6-10μm側蝕要求設備具備更高的分辨率與對位精度。根據博敏電子高端PCB技改項目測算，LDI+DI設備投資占整線設備投資比例超過五分之一，為價值量最高的核心設備環節。其中外層干膜LDI因技術門檻更高，在LDI+DI內部投資結構中占比過半。

2026年以來，中國PCB廠商已披露擴產投資累計達數百億元規模，主要投向高階HDI、mSAP及高多層PCB。擴產項目多集中于2026年下半年至2027年進入建設投產階段，2028年新增產能有望全面釋放。本輪資本開支聚焦高端制程，高精度LDI設備作為產線升級的核心增量設備，需求進入加速釋放期。

光模塊PCB對應LDI需求進入高速增長通道

光模塊PCB向全增層mSAP工藝演進，單只PCB的mSAP曝光面積隨速率升級顯著擴大。800G產品存在HDI+mSAP混合方案與全層mSAP方案兩類技術路線，1.6T及以上產品基本采用全層mSAP方案。隨著高速光模塊出貨持續增長及全層mSAP方案加速滲透，行業mSAP總曝光面積快速提升，對應高精度LDI設備理論需求進入高速增長階段。

先進封裝大尺寸化趨勢凸顯，直寫光刻滲透率持續提升

AI芯片封裝技術持續向大尺寸、高密度互連方向演進。CoWoS-L、CoPoS、PLP及玻璃基板等技術路線均圍繞更大封裝尺寸、更細RDL線路持續升級，對曝光尺寸、解析精度及套刻精度提出更高要求。面板級封裝（PLP）采用矩形大尺寸載板替代傳統圓形晶圓，介質基板面積利用率顯著提升，邊角切割廢棄物大幅減少，成本優勢逐步顯現。

直寫光刻技術憑借無需實體光罩、可實時讀取數字版圖并動態修正曝光路徑的優勢，更適配先進封裝大尺寸、細線化、小批量多品種的生產特點。與傳統步進式光刻相比，LDI可降低大面積曝光過程中的對位誤差，提高細線路RDL及多層RDL的制造精度，產品迭代時僅需更新曝光數據即可，顯著縮短開發周期。

芯碁微裝：全球LDI龍頭，雙輪驅動成長

芯碁微裝為全球PCB直寫光刻設備頭部廠商，也是中國唯一可覆蓋PCB、IC載板、晶圓級及面板級封裝全場景的LDI設備廠商。公司PCB LDI產品矩陣完善，覆蓋圖形層與阻焊層光刻兩大核心工藝，并配套激光鉆孔設備，可滿足HDI、mSAP及類載板等高端PCB制造需求。

在泛半導體領域，公司已形成覆蓋IC載板、WLP及PLP的先進封裝直寫光刻產品體系。WLP系列已完成多家先進封裝頭部客戶驗收并實現量產，獲得重復訂單；PLP 2000設備獲得重要客戶訂單，標志著公司完成PLP產業化突破。泛半導體業務毛利率顯著高于PCB系列業務，隨著該業務占比提升，公司盈利能力有望持續改善。

公司2025年全球PCB直接成像設備市場份額位居行業首位。隨著mSAP滲透率提升及先進封裝產業化加速，公司有望充分受益于PCB高端工藝升級與先進封裝大尺寸化雙重趨勢，實現量價齊升。