兆易創(chuàng)新：產(chǎn)能替代窗口開啟，長鑫賦能共振

全球存儲行業(yè)產(chǎn)能結(jié)構遷移與替代窗口

在全球存儲行業(yè)經(jīng)歷由人工智能驅(qū)動的產(chǎn)能結(jié)構性遷移過程中，國際存儲龍頭退出專用型存儲長期戰(zhàn)略方向較為確定。利基型 DRAM 方面，三星、SK 海力士、美光已相繼發(fā)布 DDR4 減產(chǎn)與停產(chǎn)計劃；SLC NAND Flash 方面，鎧俠、美光等廠商轉(zhuǎn)向 3D NAND（TLC/QLC）而削減 SLC NAND 產(chǎn)能，供給缺口自 2025 年起顯著釋放。本輪產(chǎn)能替代空間具有結(jié)構性特征，為兆易創(chuàng)新打開了替代窗口。公司有望復刻其在 NOR Flash 領域已驗證的份額增長路徑，在利基型 DRAM 與 SLC NAND Flash 市場實現(xiàn)份額的較快增長。

專用型存儲需求剛性與增量空間

專用型存儲（利基型 DRAM、SLC NAND Flash、NOR Flash）具有較強的需求剛性。利基型 DRAM 憑借低延遲、隨機讀寫的特性適配設備實時運算緩存。SLC NAND Flash 擦寫壽命與穩(wěn)定性出眾，兩者在汽車、工控等場景中相比通用型存儲仍有明顯優(yōu)勢。NOR Flash 支持代碼就地執(zhí)行，讀取響應迅速，是固件啟動必備載體，也具有不可替代性。同時，智能駕駛、AI 算力建設以及端側(cè) AI 的發(fā)展為專用型存儲提供了需求增量。例如，AI 服務器單臺 NOR Flash 總?cè)萘靠蛇_數(shù)百 MB，端側(cè) AI 催生了全新的定制化存儲 DRAM 需求。

DRAM 業(yè)務：深度綁定長鑫，放量可期

兆易創(chuàng)新與長鑫科技的深度合作是公司 DRAM 業(yè)務的核心支撐。2026 年 3 月，公司公告將從長鑫科技集團采購代工 DRAM 產(chǎn)品年度額度從 2025 年的 11.82 億元大幅提升至 2026 年的 57.11 億元。依托長鑫科技代工產(chǎn)能的釋放，公司 DDR4 8Gb 于 2025 年初量產(chǎn)并在三季度銷量追平 4Gb 產(chǎn)品；LPDDR4 量產(chǎn)與 LPDDR5 研發(fā)持續(xù)推進。我們預測公司 DRAM 收入在 2026/27 年分別為 103.7/139.1 億元，同比增長顯著，毛利率從 2025 年的 30.5%提升至 2026 年的 69.9%和 2027 年的 75.9%。

SLC NAND Flash 與 NOR Flash：供給缺口加速釋放

SLC NAND Flash 方面，公司以 24nm 先進制程形成差異化競爭優(yōu)勢，在工控、汽車等高可靠性場景的需求粘性支撐下，供給缺口帶來的利潤彈性較為可觀。我們預測公司 SLC NAND Flash 收入 2026/27 年分別為 18.4/29.0 億元，毛利率提升至 75.9%。NOR Flash 方面，AI 服務器帶動大容量高端產(chǎn)品需求提升，同時 45nm 制程量產(chǎn)攤薄單位成本進一步提升毛利率。我們預測 NOR Flash 收入 2026/27 年分別為 99.2/133.3 億元，毛利率提升至 2026 年的 64.0%。

非存儲業(yè)務：MCU 份額鞏固，模擬業(yè)務貢獻提升

MCU 作為公司專用型存儲外的第二大業(yè)務，目前行業(yè)價格依然處于周期底部，但公司以價換量鞏固份額效果顯著，并通過高端產(chǎn)品有望進一步擴展市場。模擬業(yè)務有望在收購蘇州賽芯后進一步提升對整體業(yè)績的貢獻，賽芯承諾 2024-26 年扣非凈利潤分別不低于 6,000/7,000/8,000 萬元，當前 2025 年業(yè)績承諾已順利完成。我們預測模擬收入 2026/27 年分別為 4.0/4.7 億元，毛利率提升至 45%左右。