2026年半導體行業策略:聚焦算力、自主可控與存儲周期
- 來源:申萬宏源研究
- 發布時間:2026/03/19
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半導體行業2026年策略:聚焦算力、自主可控與存儲周期.pdf
半導體行業2026年策略:聚焦算力、自主可控與存儲周期。國產算力芯片崛起,先進制造版圖重塑。中國AI芯片市場爆發,先進制程擴張進度超預期,根據TrendForce預測2026年中國本土7nm/6nm工藝平臺份額預計擴張至接近20%,工藝迭代下N+3及以下制程有望從消費級延展至算力領域。此外,高階AI芯片也對后道的配套能力提出更高要求,2.5D/3D先進封裝平臺需求激增,尤其是CoWoS相關產能供不應求。全環節進入資本開支高峰期,國產半導體設備受益。SEMI預計至2026年中國大陸半導體設備市場依然將繼續領跑所有地區,投資金額占全球比重約3成,本土設備廠商持續受益高強度資本開支。此外,設備國產化...
國產算力芯片崛起,先進制造版圖重塑
中國AI芯片市場進入爆發期
中國AI芯片自2024H2進入爆發期,出貨量高增,2025H1 AI芯片合計銷售190.6萬片,同比增長 109.9%;本土份額從2022年不到15%提升至2025H1接近35%,借助政策支持與強勁的本地需 求,核心企業憑借自主研發的產品矩陣,在海外產品出現真空期間逐步填補算力供給缺口。
H200重新出口有望吸引CSP、OEM采購,但本土AI芯片仍會朝向自主化發展。根據TrendForce 預測,第三方AI芯片設計公司有機會擴大市場占比至50%,互聯網廠商自研ASIC占比約20%, NVIDIA H200或AMD MI325等其他同級的海外產品,在可輸入市場的情況下,維持約近30%占 比;預估2026年中國整體高階AI芯片市場總量有望成長逾60%。
華為Asecnd強勢回歸
三年三代四款芯片涵蓋Ascend 950PR/DT、960、970系列,算力將以每年翻倍速度演進。 26年即將推出的950系列含PR和DT兩款型號,新增FP8/MXFP8等低精度格式,FP8算力達1P;互聯帶寬 較前代910C提升2.5倍至2TB/s,還借助自研HiBL 1.0和HiZQ 2.0 HBM實現芯片級PD分離。
超節點正成為AI基礎設施建設新常態。 大會推出新一代Atlas 950 AI超節點及TaiShan 950通算超節點,在規模、性能及傳統設備替代上展現顯著 領先性。
下游高端需求強勁,2026年也是供給側突破的一年
根據TrendForce數據,2026年中國本土先進制程供給擴張進度有望超預期,其中7nm/6nm工藝 平臺份額預計擴張至接近20%。
此外,AI時代高階芯片的放量對后道先進封裝的配套能力提出更高要求,未來隨著前道良率提升 則KGD(known good dies)數量也有一定提升,需要更多封裝產能。
N+3及以下先進工藝有望從消費級延展至算力領域
根據Counterpoint資料,2025年11月下旬華為推出了全新旗艦系列Mate 80系列及折疊屏機型 Mate X7,除Mate 80外均搭載最新麒麟9030或9030 Pro芯片,使用了N+3制程。
由于復雜性的增加,N+4開發可能需要比N+3更長的時間,改進主要集中在材料和工藝優化上,后 續這些制程或使用在國產AI芯片上,AI芯片設計公司有望在未來幾年繼續培養中國本土供應鏈。
海外IDM本地化生產成為趨勢
為了確保在中國大陸的市場份額,國際IDM通過外包代工或授權技術的方式和本地Fab廠合作。海 外IDM的本地化使中國Fab獲得穩定訂單并提升工藝水平,同時幫助其降低成本并維持供應鏈的安 全與穩定,汽車和工控行業尤為明顯支持外商IDM本地化生產。
國家大基金三期有望成為資本開支增量
先進制造為大基金一期投資的核心領域,大基金二期對重資產模式也有較大側重,投資金額和投資 數量皆較多。截至2026年3月國家大基金三期公開披露的已投項目仍非常有限,僅設立了3支基金 投資平臺(華芯鼎新、國投集新、國家人工智能),尚未進入大規模落地階段,2026年有望成為資 本開支增量。
存儲進入超級周期,本土廠商嶄露頭角
AI驅動的存儲需求橫跨所有領域
根據TrendForce數據,2026年無論是DRAM芯片還是NAND芯片,服務器的消耗都將超過智能手 機,成為存儲占比第一的下游應用。 AI需求將從訓練轉向推理(自2025年起推理單元占比將超過85%)。上下文窗口的擴展和生成式AI推動內存呈指數級增長(HBM → DRAM → SSD → CXL)。內存已成為AI核心性能瓶頸,而非計算。 NAND Flash領域,因電力供應限制,美國客戶可能會更多的采用大容量(16TB)SSD來替代AI服 務器的HDD存儲解決方案;此外,高成本迫使消費類OEM廠商降低設備的平均存儲容量。
新增供應有限,存儲價格或維持高位
預計全球DRAM實際產能預計將從2025年底的約196.6萬片提升至2026年底約213.6萬片, TrendForce預測其中TSV(HBM)占DRAM總產能的比例預計從19%增加到2026年約23%。三星Line 15/P4L、海力士M16/M15x以及美光OMT工廠有產能擴張計劃。 預計全球NAND Flash實際產能預計將從2025年底的約136.5萬片降低至2026年底約133萬片。 三星計劃將最后一條2D NAND產線Line 12轉產為1c制程的DRAM,并計劃在P4L增加V9/10的產能;鎧俠將 使用Fab2(K2)進行BiCS9/10生產;長江存儲保持積極的擴產趨勢。
長鑫科技上市在即,國產存儲自主可控的里程碑
長鑫科技在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠,根據Omdia數據統計,按照產能和出 貨量統計,公司已成為全球第四,中國第一的的DRAM廠商。終端客戶包括阿里云、字節跳動、騰訊、 聯想、小米、傳音、榮耀、OPPO、VIVO等服務器以及PC/智能手機品牌方。 公司預計2025年實現營收550-580億元,YoY+127.48%~+139.89%;歸母凈利潤-16億元~盈利6 億元,扣非歸母凈利潤28~30億元。 公司IPO擬募資295億投向三大存儲項目,主要為技術升級改造及前瞻技術平臺的研發。



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