2022年服務(wù)器行業(yè)中期投資策略 內(nèi)存接口芯片市場不斷擴張
- 來源:廣發(fā)證券
- 發(fā)布時間:2022/06/27
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電子行業(yè)2022年中期策略:聚焦創(chuàng)新需求,立足國產(chǎn)替代.pdf
電子行業(yè)2022年中期策略:聚焦創(chuàng)新需求,立足國產(chǎn)替代。行業(yè)整體:聚焦創(chuàng)新需求,立足國產(chǎn)替代。回首2022H1,供給持續(xù)釋放,而疫情和俄烏戰(zhàn)爭等因素影響消費需求,加速緩解供需緊張態(tài)勢;展望2022H2,聚焦創(chuàng)新需求,立足國產(chǎn)替代。科技創(chuàng)新永不停歇,服務(wù)器DDR5開啟新周期,內(nèi)存接口芯片量價齊升;汽車電動化大勢所趨,智能化乘勢而上;VR/AR內(nèi)容和硬件雙輪驅(qū)動,踏時代浪潮發(fā)展。國產(chǎn)替代穿越景氣周期,模擬芯片長坡厚雪空間大,國產(chǎn)替代持續(xù)進行;國內(nèi)擴產(chǎn)方興未艾,半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代正當時。服務(wù)器:DDR5開啟新周期,內(nèi)存接口芯片量價齊升。內(nèi)存標準從DDR4向DDR5升級,內(nèi)存接口芯片相應(yīng)升級,同時新增...
1.DDR4向DDR5升級,PC先行服務(wù)器接力
內(nèi)存接口芯片緊跟DDR內(nèi)存技術(shù)的升級而不斷演進。為了實現(xiàn)更高的傳輸速率和支 持更大內(nèi)存容量,JEDEC組織不斷完善更新DDR內(nèi)存接口芯片的技術(shù)規(guī)格,用以支 持更高速率和更大容量的內(nèi)存。標準升級方向主要體現(xiàn)為:(1)降低工作電壓以降 低功耗,減少發(fā)熱量;(2)提高工作頻率,提升預(yù)讀取能力;(3)內(nèi)存容量持續(xù) 提升;(4)封裝轉(zhuǎn)向FBGA,減少寄生電容和阻抗匹配問題,并增加穩(wěn)定性。
把握DDR5上半場投資機遇。DDR5世代內(nèi)存接口芯片賽道空間擴大、產(chǎn)品升級驅(qū)動 高毛利率以及競爭格局愈發(fā)優(yōu)化將帶來投資機會。復(fù)盤DDR4內(nèi)存接口芯片迭代期間 Rambus/IDT表現(xiàn):新世代更迭上半場,內(nèi)存接口芯片廠商產(chǎn)品迭代都較好驅(qū)動了公 司業(yè)績和市場表現(xiàn)。2022Q1,Rambus以內(nèi)存接口IC為主的產(chǎn)品業(yè)務(wù)營收約4800萬 美元(QoQ+9%,YoY+69%),并繼續(xù)指引22Q2預(yù)計實現(xiàn)QoQ +2.1%~14.6%的強 勁增長;2022Q1,瀾起科技以內(nèi)存接口IC為主的互連類芯片產(chǎn)品線營收為5.75億元 (YoY+ 94%),DDR5內(nèi)存接口及配套芯片已實現(xiàn)批量出貨。DDR5已進入從0到1 的快速滲透初期,建議把握DDR5滲透前中期由行業(yè)邊際變化紅利帶來的投資機遇。

DDR4升級DDR5,PC先行、服務(wù)器接力。從DDR4到DDR5的轉(zhuǎn)換不僅需要內(nèi)存模 組供應(yīng)商對市場需求的支持,同時也需要處理器與主板設(shè)計架構(gòu)的支持,因此,生 態(tài)的完善對DDR5的滲透率有著重要影響。從CPU廠商推進情況來看,DDR5率先在 PC端開始滲透,隨著年內(nèi)DDR5服務(wù)器平臺的推出,服務(wù)器DDR5滲透將推動整體 滲透率持續(xù)爬坡。 PC端,(1)DDR5 Gen 1.0:Intel于2021年首發(fā)同時適配DDR4和DDR5的處理器 Alder Lake;AMD于2022年推出僅支持DDR5的銳龍6000。以上兩款處理器均支持 4800MT/s速率。(2)DDR5 Gen 2.0:Intel預(yù)計在2022年內(nèi)發(fā)布DDR5第二子代 5600MT/s桌面端平臺Raptor Lake,我們預(yù)計AMD后續(xù)也會相應(yīng)發(fā)布銳龍CPU系列, 支持DDR5第二子代的CPU后續(xù)會逐漸在桌面端上量。根據(jù)海力士2022Q1電話會, 預(yù)計2022年游戲PC將表現(xiàn)出強勁需求,推動年內(nèi)PC DDR5滲透率超預(yù)期。
服務(wù)器端,根據(jù)Intel數(shù)據(jù)中心副總裁Sandra Rivera和AMD 2022金融分析師日公開 交流披露,支持DDR5的下一代服務(wù)器平臺Intel Sapphire Rapids與AMD EPYC Genoa均預(yù)計于2022H2推出。目前產(chǎn)業(yè)鏈正處于備貨階段。預(yù)計在支持DDR5的服 務(wù)器CPU大規(guī)模上量之后,DDR5將會迎來滲透率爬坡。
2.內(nèi)存接口芯片量價提升,市場空間顯著增長
內(nèi)存接口芯片廠商位于產(chǎn)業(yè)鏈上游,下游主要為三星電子、海力士、美光科技為代 表的內(nèi)存模組制造商。DDR5世代,由于其配套芯片延伸至PC領(lǐng)域,內(nèi)存接口芯片 行業(yè)的市場空間可分為服務(wù)器市場和PC/NB市場:
服務(wù)器內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模=服務(wù)器出貨量*單服務(wù)器CPU用量*單CPU對應(yīng)的 DRAM內(nèi)存條數(shù)量*內(nèi)存接口芯片ASP

我們認為,以下量價指標的邊際變化將推動DDR5世代內(nèi)服務(wù)器市場內(nèi)存接口芯片市 場空間規(guī)模擴大。
量增邏輯一:服務(wù)器市場回暖帶來服務(wù)器出貨量的提升。隨著全球人工智能、大數(shù) 據(jù)、云計算、5G、VR/AR 等新興技術(shù)發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)量提升,對數(shù)據(jù)處理能力的 需求不斷提升,數(shù)據(jù)中心賽道長期向好。從CPU和DRAM廠商數(shù)據(jù)中心相關(guān)收入來看,2022Q1 Intel DCAI、AMD Computing and Graphics合計收入YoY+14.8%, 2022Q2美光CNBU收入YoY+31.3%,均指引了數(shù)據(jù)中心較強的增長動能。從景氣度 指標觀察,2022Q1全球云服務(wù)廠商資本支出YoY+27.8%, 全年指引較為強勁,云服 務(wù)廠商資本支出新一輪的上升周期將極大程度帶動數(shù)據(jù)中心的建設(shè)和服務(wù)器需求體 量的提升;信驊科技是一家專注服務(wù)器領(lǐng)域高毛利利基市場的IC設(shè)計公司,主營產(chǎn) 品為服務(wù)器管理芯片,近年來市占率超過60%,因此其營收增速可作為服務(wù)器景氣 度指標。自2021年8月起,信驊單月營收YoY保持增速較高30%以上的增速,指引了 服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈景氣度向上。
量增邏輯二:服務(wù)器升級帶來單服務(wù)器內(nèi)存條數(shù)量的增加。隨著CPU與主板布線的 持續(xù)升級,服務(wù)器支持的內(nèi)存通道數(shù)也在增加,單臺服務(wù)器可以搭載內(nèi)存模組數(shù)量 隨之增加,帶來了內(nèi)存接口及配套芯片數(shù)量的提升。DDR4世代,服務(wù)器主要支持 4/6/8條內(nèi)存通道;根據(jù)Intel和AMD下一代支持DDR5服務(wù)器平臺參數(shù),DDR5世代 服務(wù)器預(yù)計將有8/12個通道,若每個通道插2個內(nèi)存條,一共需要16或24個內(nèi)存條, 相比DDR4的12個內(nèi)存條提升明顯。

價增邏輯一:DDR世代演進帶來的內(nèi)存模組芯片搭配數(shù)目增加。DDR5世代由于服 務(wù)器、PC端CPU及內(nèi)存模組之間數(shù)據(jù)傳輸量的增加,逐漸產(chǎn)生了對內(nèi)存模組配套芯 片的需求。根據(jù)JEDEC的定義,在DDR5世代,服務(wù)器內(nèi)存模組RDIMM/LRDIMM搭 配一顆寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)、一顆串行檢測芯片(SPD)、一顆電源管理芯片 (PMIC)及兩顆溫度傳感器(TS),此外LRDIMM還需要配置10顆數(shù)據(jù)緩沖器(DB)。 相較于DDR4,DDR5世代的LRDIMM增加了一顆DB,同時所有類型模組均搭載了 內(nèi)存配套芯片。
價增邏輯二:性能更優(yōu)的世代與子代升級帶來ASP提升。與DDR4世代相比,DDR5 標準性能更強,功耗更低,因此造成設(shè)計難度與研發(fā)成本更大。如DDR5的電壓從 1.2V降低到1.1V,低電壓的抗干擾設(shè)計難度顯著增加,對于電源完整性和信號完整 性的設(shè)計要求也更嚴苛,造成研發(fā)成本更高,對產(chǎn)品的ASP將會有所提升。目前DDR5 已規(guī)劃了3個子代,支持速率分別是4800MT/s、5600MT/s、6400MT/s,預(yù)計未來 還將會有1-2個子代。根據(jù)子代迭代價格規(guī)律,新子代在剛推出時價格更高,也能夠 提振產(chǎn)品的平均價格。因此,隨著DDR5滲透率的提升和子代的升級,內(nèi)存接口芯片 的ASP將會隨之增加。
價增邏輯三:LRDIMM滲透率增加帶來ASP提升。相較于RDIMM,LRDIMM一方面 可以降低內(nèi)存總線的負載和功耗,另一方面可以提供更大的內(nèi)存容量,價格也更貴。 只有在RDIMM滿插后的最大內(nèi)存容量不足或有功耗要求時,才會采用LRDIMM方案, 因此目前的滲透率較低。但隨著CPU處理數(shù)據(jù)量的增大,內(nèi)存數(shù)據(jù)的訪問量也快速 上升,DDR5世代中后期對LRDIMM的需求會愈來愈高,從而拉動整體ASP提升。
PC/NB內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模=PC/NB出貨量*單PC/NB對應(yīng)的內(nèi)存條數(shù)量*內(nèi)存 接口芯片ASP
DDR5新定義開辟PC端內(nèi)存接口及配套芯片新增量市場。 DDR5世代普通臺式機及 筆記本電腦常用的內(nèi)存模組UDIMM/SODIMM額外搭配一顆SPD及一顆PMIC。此外, 根據(jù)JEDEC定義,DDR5滲透中后期UDIMM/SODIMM還將搭載一顆CKD芯片用以 提高時鐘信號的信號完整性和可靠性。因此,DDR5新定義下,內(nèi)存接口及配套芯片 的應(yīng)用延伸至PC端,開辟了PC端新增量市場。

內(nèi)存接口量價齊升,市場空間顯著擴容。綜合以上行業(yè)邏輯推演,我們認為,DDR5 世代下內(nèi)存接口芯片迎來量價齊升機遇,其應(yīng)用從服務(wù)器領(lǐng)域拓展至PC領(lǐng)域,市場 空間迎來明顯擴容。根據(jù)測算,DDR4世代內(nèi)存接口芯片市場容量僅4~6億美金(僅 包含服務(wù)器領(lǐng)域 RCD+DB),而DDR5世代完全滲透后內(nèi)存接口芯片市場容量有望 達25億美金(包含服務(wù)器領(lǐng)域RCD+DB / PMIC+SPD+TS和PC領(lǐng)域 PMIC+ SPD), 產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司將顯著受益。
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