CoWoS-L封裝技術迭代驅動國產先進封裝產業鏈機遇

CoWoS-L架構成為先進封裝擴展的可行方案

前幾代CoWoS產品開發出雙掩模和四掩模的光刻拼接技術，可將硅互聯器的面積擴大到3個完整reticle size，但將CoWoS-S擴展到四倍reticle size或更大，在生產和可靠性方面極具挑戰性。CoWoS-L架構被證明是解決CoWoS封裝擴展所帶來生產問題的可行方案，其創新結構為CoWoS-L帶來注入優勢，例如無掩?？p合和良率提升。臺積電產能預估到2026年年底CoWoS-L占2.5D封裝產能的50%以上，2027年占比預計將提高至70%。

CoWoS-L封裝由top die、重組插層和基板三部分組成。top die通過細間距微凸塊并排粘合在中介層上，中介層承載所有top die以形成片上晶圓（CoW）。中介層的上下兩面都包含一個RDL層，分別用于微凸塊和C4凸塊布線。由模塑化合物包圍的TIV提供從基板到頂層芯片的直接垂直路徑，插入損耗低。

國產算力需求驗證下游高景氣度

需求端多項數據反饋國產算力高景氣。國內頭部模型日均Token消耗量呈現"指數級"上升趨勢，以豆包為例，其全系產品日均Token消耗量較初始規模增長達1500倍。國產大模型綁定國產GPU芯片，以寒武紀為例，其預付款同比及環比均實現大幅增長，驗證國產GPU訂單飽滿。

封測行業結構性分化與產能擴張

2025年全球半導體銷售額創歷史新高。細分領域結構性分化明顯，呈現出AI相關需求高速增長、傳統應用領域平穩復蘇的格局。中國臺灣地區頭部封測企業因AI相關需求持續旺盛、產能緊張，將消費類封裝產能轉至AI/HPC等產品。全球最大的半導體封測廠商日月光再度調整封裝報價，最高漲幅超過20%，本次漲價涵蓋CoWoS、FoCoS等先進封裝。

國內主流上市封測企業營收及歸母凈利同比增速體現行業稼動率回升帶來的收入利潤改善。對應國產高端GPU需求，先進封裝及CoWoS-L擴產成為兵家必爭之地，長電科技、通富微電、甬矽電子、匯成股份、盛合晶微等企業均積極推進擴產計劃。

先進封裝核心材料體系梳理

相較傳統封裝，先進封裝還包括TSV、RDL、凸塊制作等工藝，相關新材料包括光刻膠、電鍍液、光刻膠剝離液、刻蝕劑、濺射靶材、底部填充、晶圓承載系統等。

環氧塑封料（EMC）屬于半導體封裝材料里的包封材料，隨著先進IC封裝技術的不斷發展，對EMC材料的綜合性能提出越來越高的要求。高性能EMC國產化率較低，隨著國內封測向先進封裝迭代，環氧塑封料存在產品結構迭代、單位價值量躍升的邏輯，先進封裝EMC單價是基礎EMC價格的10倍以上。

濕制程電子化學品包括顯影液、蝕刻液、剝離液、電鍍液等。電鍍液由金屬離子、酸和添加劑組成，多種添加劑用于增強電鍍液和鍍層的性能?？涛g劑應具備較高的刻蝕速率，同時保證制程的均勻性。目前國內能夠提供先進制程濕電子化學品廠商較少。

臨時鍵合膠在晶圓承載系統中起重要作用，需在晶圓背面加工過程中保持較強的黏附力，待完成切割、減薄、鍍膜等工藝后再無損分離。超高純金屬濺射靶材主要用于晶圓制造和芯片封裝兩個環節，在技術上和市場份額方面國內部分企業已躋身全球領先行列。底部填充材料分為后填充和預填充兩種工藝類型，是保證接合處可靠性的關鍵組成部分。

前沿技術方向：玻璃基板與碳化硅

CoPoS是CoWoS的下一代技術，核心創新在于用大型矩形面板替代晶圓，實現"化圓為方"，基板利用率大幅提升，封裝尺寸可擴大至更大規格。玻璃基板與傳統有機載板相比具有多重優勢，熱膨脹系數更接近硅芯片，具備優異的電氣絕緣性能，能有效減少信號損耗和串擾。

臺積電在推動未來碳化硅作為CoWoS中介層的可能性，其發展核心驅動力源于AI芯片功率提升。SiC中介層熱導率為硅的2-3倍，可大幅縮小散熱片尺寸；單晶SiC耐化學性強，可通過濕法刻蝕制備更高深寬比的非直線通孔，實現更短互連長度與更高集成度。

產業鏈核心環節與主要參與者

直寫光刻設備領域，芯碁微裝先進封裝設備主要應用于CoWoS-L的中介層曝光，下游客戶包含長電、通富、甬矽等國內頭部封裝廠，目前均已完成設備的導入。全球先進封裝領域直寫光刻設備的市場規模預計未來幾年CAGR達55%以上。

材料端，環氧塑封料領域華海誠科通過收購躍居全球出貨量第二位；濕電子化學品領域飛凱材料、艾森股份、上海新陽等有相關業務布局；臨時鍵合膠領域飛凱材料、鼎龍股份等積極推進產品導入；濺射靶材領域江豐電子、有研新材技術和市場份額均躋身全球領先行列；底部填充膠領域德邦科技多款核心產品可直接適配各類先進封裝工藝。