AI算力高增倒逼散熱材料升級,金剛石散熱迎來黃金發(fā)展期
- 來源:方正證券
- 發(fā)布時間:2026/07/20
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AI算力高增倒逼散熱材料升級,金剛石散熱迎來黃金發(fā)展期——金剛石散熱行業(yè)專題報告.pdf
研究背景與目的方正證券機(jī)械行業(yè)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)布金剛石散熱行業(yè)專題報告,分析AI算力高速增長背景下,傳統(tǒng)銅散熱材料觸及物理極限,金剛石散熱材料迎來商業(yè)化黃金發(fā)展期。報告系統(tǒng)梳理金剛石散熱的技術(shù)優(yōu)勢、技術(shù)路線、制備壁壘、市場空間及重點(diǎn)公司進(jìn)展。核心驅(qū)動因素AI芯片轉(zhuǎn)向2.5D/3D異構(gòu)集成,3D堆疊結(jié)構(gòu)散熱路徑有限,單芯片功耗突破1000W、局部熱流密度超過1000W/cm2,銅散熱(熱導(dǎo)率~400W/m·K)已達(dá)物理極限。行業(yè)亟需熱導(dǎo)率更高且兼具電絕緣和CTE匹配的新材料。金剛石散熱核心優(yōu)勢熱導(dǎo)率為銅的3-5倍,采用金剛石散熱片的GPU溫度可降低10℃以上,算力提升15%-22%;與硅、氮化鎵、碳化...
AI芯片散熱困境與金剛石材料崛起
當(dāng)芯片制程逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)向2.5D/3D異構(gòu)集成以延續(xù)性能增長。3D封裝結(jié)構(gòu)由多層薄芯片組成,中間層距散熱器遠(yuǎn),散熱路徑有限;芯片間介電層和粘合劑熱導(dǎo)率極低,垂直散熱嚴(yán)重受阻,熱量在堆疊內(nèi)部聚集形成局部熱點(diǎn)。當(dāng)單芯片功耗突破1000W、局部熱流密度超過1000 W/cm2時,銅散熱(熱導(dǎo)率約400 W/m·K)已抵達(dá)物理極限。行業(yè)迫切需要熱導(dǎo)率更高且兼具電絕緣和CTE匹配的新材料,金剛石由此進(jìn)入散熱材料視野。
金剛石散熱四大核心優(yōu)勢
熱導(dǎo)率方面,金剛石的熱導(dǎo)率是銅的3-5倍,采用金剛石散熱片的GPU溫度可降低10℃以上,算力提升15%-22%,支持高達(dá)50℃的工作環(huán)境溫度。熱膨脹系數(shù)方面,金剛石與硅、氮化鎵、碳化硅等半導(dǎo)體材料高度匹配,可大幅降低芯片與散熱材料之間的熱應(yīng)力,避免高溫循環(huán)導(dǎo)致的器件開裂與性能衰減。電絕緣性方面,區(qū)別于銅鋁等金屬散熱材料,金剛石不會引發(fā)芯片漏電、短路問題,也不會干擾高頻電信號傳輸,契合AI芯片、射頻器件的高頻高壓運(yùn)行需求。此外,金剛石耐高溫超過600℃,耐腐蝕、抗輻射,穩(wěn)定性遠(yuǎn)超傳統(tǒng)散熱材料。
三大技術(shù)路線與產(chǎn)業(yè)化路徑
金剛石散熱材料分為金剛石復(fù)合材料、單晶金剛石、多晶金剛石三大技術(shù)路線。單晶金剛石與多晶金剛石為純金剛石材料,具備超高熱導(dǎo)率與優(yōu)異絕緣性,可適配襯底、熱沉片、微通道全場景應(yīng)用,主打高端超高功耗散熱需求。金剛石基復(fù)合材料中,金剛石銅的綜合優(yōu)勢最為突出,熱導(dǎo)率約600-800 W/(m·K),成本僅為純金剛石的五分之一到十分之一,兼顧導(dǎo)熱性能和可加工性,是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化落地最快的路線。多晶金剛石熱沉片屬于芯片級散熱方案,未來1-3年有望進(jìn)一步走向成熟,但8英寸及以上大尺寸制備難度呈指數(shù)級抬升。MPCVD單晶金剛石熱導(dǎo)率突破2000 W/m·K,現(xiàn)階段僅小尺寸產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,8英寸大尺寸量產(chǎn)技術(shù)有待突破。
CVD制備設(shè)備壁壘與工藝控制
MPCVD(微波等離子體化學(xué)氣相沉積)憑借其高純度、高可控性,成為大規(guī)模制造高端金剛石熱沉片的主流方法。設(shè)備設(shè)計(jì)存在多重壁壘:高頻電磁場設(shè)計(jì)決定等離子體的空間分布均勻性;微波功率穩(wěn)定性決定晶圓的生長速率和缺陷密度;腔體密封和真空控制決定雜質(zhì)引入量;溫場均勻性調(diào)控直接決定晶圓應(yīng)力分布和良率。生長過程中,沉積溫度、甲烷濃度、氣體壓力是控制生長的關(guān)鍵參數(shù),需在高生長速率與避免石墨相生成之間取得平衡。成本方面,2022年進(jìn)口MPCVD設(shè)備均價仍在800-1200萬元區(qū)間,2024年國產(chǎn)設(shè)備均價已降至300-500萬元,降幅超過40%。
數(shù)據(jù)中心AI芯片市場空間測算
2026年是金剛石散熱在AI芯片領(lǐng)域商業(yè)化應(yīng)用的元年,預(yù)計(jì)滲透率1%。根據(jù)DIGITIMES Asia預(yù)測,2026年全球數(shù)據(jù)中心AI芯片出貨量約3805萬片,2030年有望提升至5341萬片。在保守、中性、樂觀預(yù)期下,2030年金剛石散熱滲透率分別提升至12%、16%、20%,對應(yīng)全球AI芯片用金剛石散熱的市場規(guī)模分別為268億元、357億元、446億元。單片AI芯片對應(yīng)金剛石散熱價值量目前約5700元,假設(shè)未來幾年每年有小幅下降。
產(chǎn)業(yè)鏈布局與重點(diǎn)公司進(jìn)展
金剛石散熱產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋上游金剛石原料與CVD制備、中游表面金屬化與復(fù)合成型、下游熱沉產(chǎn)品與系統(tǒng)集成。國際方面,ELEMENT SIX為全球最大人造金剛石制造商,已批量供應(yīng)軍工、通信領(lǐng)域;COHERENT在光通信、激光器散熱領(lǐng)域有成熟應(yīng)用;AKASH SYSTEMS與美國軍方、航天機(jī)構(gòu)合作緊密。國內(nèi)方面,四方達(dá)金剛石散熱片已進(jìn)入小批量供貨階段,正加快推進(jìn)年產(chǎn)2.5萬片CVD金剛石散熱基地建設(shè);黃河旋風(fēng)2026年2月建成國內(nèi)首條8英寸金剛石熱沉片生產(chǎn)線,擬3年內(nèi)配置300臺MPCVD設(shè)備;國機(jī)精工CVD金剛石產(chǎn)品已進(jìn)入行業(yè)頭部客戶驗(yàn)證階段;沃爾德12英寸鉆石散熱晶圓產(chǎn)品已通過客戶認(rèn)證;力量鉆石半導(dǎo)體高功率散熱片項(xiàng)目一期已投產(chǎn);惠豐鉆石包頭項(xiàng)目一期計(jì)劃采購500臺MPCVD設(shè)備。
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