SK海力士：AI存儲核心受益標的，LTA鎖定高利潤

AI驅動存儲超級周期，供需格局重塑

全球存儲芯片市場正經歷由人工智能基礎設施建設驅動的超級周期。與歷史周期不同，本輪周期的核心特征在于需求端的結構性變化與供給端的剛性約束。在需求側，HBM（高帶寬內存）相較于傳統DRAM具有更強的定制化屬性，且由于良率損失，同等位元產出下HBM消耗的晶圓資源顯著高于傳統DRAM。隨著AI模型向推理階段延伸，Token消耗量激增，不僅拉動HBM需求，也帶動了CPU DRAM和企業級SSD（NAND）的同步增長。在供給側，2022至2023年的行業下行周期導致主要存儲原廠嚴重虧損，資本開支大幅縮減，加之EUV等關鍵設備產能受限，使得新增產能釋放緩慢。這種供需錯配使得存儲行業從單純的價格波動轉向產能與成長驅動，供需缺口有望在中期內維持。

長期協議（LTA）強化議價能力，平滑周期波動

為應對供給緊張并鎖定成本，存儲原廠與下游客戶正加速推進長期協議（LTA）的簽訂。LTA不僅有助于客戶保障供應鏈安全，更賦予存儲原廠更強的議價能力，通過設定價格下限和強制采購條款，有效維持高利潤率并減少業績的強周期性。目前，美光等廠商已簽署大量涵蓋數據中心、消費電子及汽車市場的SCA（戰略客戶合作協議），部分協議價格下限已超越歷史周期頂點。作為HBM領域的領先者，SK海力士有望通過提升LTA在出貨中的占比，進一步鞏固其盈利穩定性，推動行業屬性從“漲價品種”向“成長品種”轉變。

HBM技術領先，全棧式布局深化客戶綁定

SK海力士在HBM市場占據絕對領先地位，2026年第一季度市占率達到58%。公司自HBM2E以來持續迭代，在HBM4及HBM4E技術上保持領先，并與英偉達等頭部AI芯片廠商建立深度技術合作，參與下一代AI平臺的前置定義。這種從“標準供貨”向“定制化協同”的轉變，顯著增強了客戶粘性。此外，公司在DRAM和NAND領域均保持全球第二的市場份額，并積極布局SOCAMM、HBF等新興存儲技術，構建了全棧式AI存儲受益標的的地位。高盈利能力為公司提供了充足的現金流，支撐其在Yongin、Cheongju等地的擴產計劃，預計未來五年存儲晶圓產能將實現翻倍。

美股ADR發行有望修復估值折價

SK海力士計劃在美國發行美國存托憑證（ADR），募集資金用于長期擴產及設備采購。此舉旨在擴大投資者基礎，提升流動性，并有望縮小相對于美光等美股存儲巨頭的估值折價。隨著AI存儲核心資產屬性的凸顯及全球投資者配置的便利性提升，公司估值邏輯有望從傳統的韓國存儲周期股向全球AI核心資產切換，帶來估值修復空間。