金剛石散熱材料商業化提速,AI服務器與消費電子雙輪驅動
- 來源:中信建投
- 發布時間:2026/07/02
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液冷散熱行業系列報告三:金剛石——高端散熱材料的邁進之路.pdf
本報告為液冷散熱行業系列報告之三,聚焦金剛石散熱材料的商業化進展與應用前景。核心觀點指出,金剛石散熱材料在AI服務器和消費電子兩大賽道均出現規模化落地產品,產業鏈相關標的具備長期投資價值。報告詳細分析了金剛石散熱應用的三大位置:芯片封裝內部、冷板基材及導熱界面材料(TIM)。在芯片封裝內部,單晶金剛石用于解決2.5D/3D封裝中的熱點堆積問題;在冷板基材方面,純金剛石和金剛石銅復合微通道冷板逐步替代傳統純銅冷板,適配超高熱流芯片散熱;在TIM方面,固態金剛石導熱件和金剛石微粉導熱硅脂優于傳統液態金屬和相變材料,是中長期升級方向。報告指出,當前GPU功耗持續攀升,Rubin世代芯片功耗或突破20...
核心觀點:金剛石散熱材料商業化進程持續提速
金剛石散熱材料在AI服務器和消費電子兩大賽道均出現規模化落地產品。在算力側,神達聯合AMD推出的金剛石散熱AI服務器已實現商用,曙光數創兆瓦級金剛石銅浸沒液冷整機柜亦批量商用,Akash金剛石冷卻GPU服務器斬獲大額訂單。在消費端,微星游戲顯卡、聯想AI輕薄本及高端PC水冷頭均導入金剛石復合散熱方案。英特爾新一代服務器處理器也有望配套金剛石導熱材料。伴隨AI高算力硬件持續迭代,金剛石高導熱材料替代空間廣闊,產業鏈相關標的具備長期投資價值。
全鏈路布局:三大應用位置覆蓋芯片散熱環節
金剛石散熱應用覆蓋全散熱鏈路,按應用位置分為三大板塊。一是芯片封裝內部,單晶金剛石用于2.5D/3D封裝中介層、GPU與HBM夾層墊片,解決堆疊芯片熱點堆積問題。二是冷板基材,純金剛石、金剛石銅復合微通道冷板逐步替代傳統純銅冷板,適配超高熱流芯片散熱。三是冷板與芯片蓋板之間的TIM導熱界面材料,包含固態金剛石導熱件、金剛石微粉導熱硅脂兩類路線,均優于傳統液態金屬、相變材料,是英偉達Rubin世代液態金屬方案淘汰后的中長期升級方向。
需求倒逼升級:高功耗芯片催生金剛石替代空間
當前GPU功耗持續攀升,Rubin世代芯片功耗或突破2000W,高密度72卡機柜、兆瓦級超節點超算對均熱、降溫、低PUE要求大幅提升。金剛石導熱系數遠超銅材,可快速攤平芯片熱點、降低整機熱阻、減少算力降頻,在AI服務器液冷場景優勢不可替代。消費電子端AI處理器、高端游戲顯卡功耗同步提升,輕薄設備散熱空間受限,金剛石銅散熱模組可實現減重、低溫控、低噪音,適配終端產品升級需求。隨著量產工藝逐步成熟、成本持續下行,金剛石散熱材料滲透率將持續提升。
服務器案例:商用落地顯著改善散熱與能效
神達聯合AMD、Akash Systems推出的全球首款商用金剛石散熱AI服務器,搭載AMD MI350X GPU,該散熱方案使GPU與HBM顯存最高降溫,避免熱降頻并延長硬件壽命;標準機房算力能效提升,高溫環境大模型處理吞吐量提升;機房制冷能耗可近乎清零,算力部署密度更高,單臺設備四年最高可帶來百萬美元增量收益,有效降低運維與擴容成本,專門解決AI設備高熱流散熱瓶頸。
曙光數創發布全球首款兆瓦級相變浸沒液冷整機柜,核心散熱部件采用寧波賽墨科技自研金剛石銅微通道復合材料,整機已部署鄭州萬卡超算國家超算節點。整套浸沒液冷系統單機柜功率最高900kW,散熱上限200W/cm2;金剛石銅微通道可將導熱效率提升80%,芯片降溫約5℃、整機算力提升10%,配套方案機房PUE低至1.04,大幅節省機房占地、降低運維TCO。
液冷板迭代:從純銅向金剛石復合材料演進
服務器散熱已進入“液冷時代”,封裝外散熱技術及高導熱材料需求提升。芯片晶體管數量的上升與摩爾定律基本保持一致,熱功耗(TDP)從H100的700W,提升到B200的1200W,增長約70%,B300單芯片TDP 1400W,Rubin或超2000W。目前機柜內液冷板以純銅材料為主,隨著芯片迭代速度不斷加快,終端芯片廠商及服務器液冷板廠商逐漸將目光瞄準新材料——金剛石銅/金剛石鋁等復合材料。
金剛石在液冷板的應用可以分為兩類。一是金剛石均熱層搭配金屬微通道,金剛石貼附流道側面或底部,依靠高導熱抑制熱點、均衡溫度、降低熱阻,耐久優于相變材料,需拋光鍍Ti/Ni/Au鍍層后鍵合銅冷板,難點為拋光平整度差易產生空洞、鍍層質量難控、銅與金剛石熱膨脹不匹配易分層,工藝成本高。二是一體式微通道冷板,包含純金剛石與金剛石銅復合兩種,純金剛石直接刻蝕流道,散熱性能最佳適配高熱流算力設備,金剛石銅兼顧均熱性能與銅易加工、低成本的優勢,兩類微通道共同難點是刻蝕加工易造成金剛石裂紋、石墨化損傷,裝配密封精度要求極高易漏液,純金剛石脆性大,銅復材界面易分層,整體量產成本偏高。
TIM應用:固態與微粉路線并行
目前行業主流金剛石TIM分為兩類:一體化固態金剛石導熱界面件,通過Ti/Ni/Au金屬化鍍膜搭配精密鍵合工藝制成,構建結構穩定的高導熱固態傳熱通道,無老化流失風險,冷熱循環長期可靠性突出,適配超高算力AI服務器直液冷場景。金剛石微粉填充型導熱硅脂,將超細金剛石微粉摻雜進導熱膏基體,小幅提升膏體基礎導熱系數,工藝簡單、裝配便捷,可作為低成本改良型導熱介質。金剛石兼具縱向、橫向雙重散熱優勢。縱向可高效傳導芯片熱量直達冷板,橫向依托單晶金剛石5倍于銅、百倍于相變材料的超高各向同性導熱系數,快速攤平局部高熱流,從源頭抑制芯片熱點,降低峰值結溫、均衡板面溫度、緩解器件熱應力,大幅削減整機總熱阻,這是僅能填充縫隙、無均熱能力的傳統PCM無法實現的。
封裝內應用:解決2.5D/3D封裝散熱難題
當前AI算力芯片普遍采用2.5D CoWoS封裝,GPU與HBM并列布置于硅中介層,可實現高密度互連、提升內存帶寬,但走線偏長、信號損耗大,且硅中介層導熱差,高負載下芯片熱點突出,GPU熱量易損傷不耐高溫的HBM,大尺寸芯片均熱難度大。3D堆疊將HBM疊放于GPU上方,布線大幅縮短、能效顯著改善,卻因雙層熱源疊加引發嚴重熱問題,GPU熱量直傳HBM,無緩沖結構時芯片易過熱,限制性能與長期穩定運行。單晶金剛石(SCD)可針對性化解兩類封裝散熱難題:改良2.5D封裝中,整片SCD貼合減薄中介層背部作為均熱層,均衡芯片溫差;3D架構中SCD作為GPU與HBM間夾層墊片,四邊設置外伸結構配合常規冷板散熱,墊片開設大量通孔填充介質實現垂直互連。但在技術角度批量落地仍存在工藝難點,包括大尺寸SCD墊片加工與精密拋光成本高等,難以大規模用于高端AI芯片封裝。
消費電子應用:輕薄化與高性能兼顧
微星在2026臺北電腦展展出新一代顯卡,核心升級聚焦金剛石散熱材料,創新采用雙層金剛石散熱結構,分別為夾設于多層純銅之間的金剛石銅復合底板,可在GPU核心與散熱器之間構建高速導熱通道、快速均熱降溫,以及填充金剛石顆粒的專用顯存復合導熱墊,有效改善HBM顯存積熱問題。整機僅搭配小幅優化的風扇與熱管輔助散熱,依托金剛石材料的超高導熱優勢大幅提升旗艦顯卡散熱上限、減少高負載熱降頻。
德國高端散熱品牌Thermal Grizzly推出Mycro Direct-Die Diamond金剛石直觸水冷頭,專為開蓋后的AMD Ryzen 9000系列處理器極限超頻場景設計。產品徹底舍棄傳統純銅導熱片,改用超薄人工金剛石片作為核心導熱介質,同時由于金剛石表面無法附著常規散熱介質,暴力熊通過CVD化學氣相沉積工藝為金剛石片鍍金屬薄膜,解決界面貼合與導熱附著難題。
英特爾押注金剛石解決高算力發熱難題
搭載英特爾酷睿Ultra X9處理器的聯想Yoga Slim 7i Aura Edition,是全球首款量產采用金剛石銅散熱的消費級輕薄本,專為40W高TDP、僅13.9mm厚、975g超輕薄機身打造,解決AI筆記本高功耗、小散熱空間、低靜音的散熱矛盾。整機采用石墨烯鋁合金+金剛石銅雙材料散熱架構,金剛石銅布置在芯片熱源核心區域,導熱系數600-900W/(m?K),遠超純銅,可大幅削減芯片峰值溫度,整套散熱模組減重30%;金剛石導熱性能是銅的3-5倍,但金剛石與銅浸潤性差,需通過表面鍍過渡層、SPS燒結等工藝解決界面結合難題。
英特爾發布全新的Intel 18A-P晶圓制造工藝節點。該節點是對Intel 18A節點的重大改進,在相同功耗下性能提升了9%。英特爾宣布已開始對該新節點進行風險試生產,并將其用于下一代至強“Diamond Rapids”服務器處理器。除了在相同功耗下性能提升9%之外,Intel 18A-P還聲稱在相同性能下功耗降低18%,芯片級熱阻降低20%-40%,以及在性能關鍵層中過孔電阻降低10%-30%。英特爾在芯片正面集成了一種新型導熱材料,顯著降低了熱阻,首款采用18A-P技術的產品將是下一代至強7“Diamond Rapids”服務器處理器。
投資建議:2026年下半年商業化訂單密集落地
目前金剛石散熱材料正處于項目驗證向商業化落地過渡的關鍵階段,海內外客戶驗證進度基本同步。北美市場層面,Akash Systems已配合AMD、NVIDIA在部分數據中心、特定AI服務器機型搭載金剛石散熱材料,初步實測散熱改善效果顯著,有效提升服務器穩定運行上限,該趨勢優先利好具備小尺寸金剛石熱沉片低成本量產能力的廠商。國內市場層面,曙光數創已將金剛石復合導熱材料導入超節點算力機柜散熱方案,同步推進超高熱導率單晶金剛石的場景驗證,多家頭部芯片廠商正在開展小尺寸金剛石熱沉片上機驗證。我們樂觀判斷,2026年下半年金剛石散熱相關商業化訂單將密集落地,覆蓋AI服務器、高端消費電子等領域。
參考團隊2025年10月發布《液冷散熱系列報告二:金剛石材料 ——高效散熱破局之選》,金剛石在算力服務器、半導體芯片領域的主流應用形態分為三類:金剛石半導體襯底、金剛石熱沉片、內置微通道一體化金剛石散熱結構。近期行業多點驗證開花,分品類落地節奏與核心壁壘梳理如下:小尺寸金剛石熱沉片、金剛石微粉填料(用于TIM界面層、TIM與冷板貼合層)商業化推進速度最快;產品依托MPCVD單晶/多晶金剛石成熟沉積工藝生產,核心加工瓶頸為表面粗糙度、晶圓翹曲度管控,當前規模化落地核心約束來自基材與精密加工綜合成本。金剛石金屬基復合材料(金剛石-銅/金剛石-鋁/金剛石-硅),以金剛石微粉為填料經高溫燒結復合成型,落地場景清晰,核心卡點為精密裁切加工、異質材料界面鍵合工藝。大尺寸金剛石散熱基材(以12英寸晶圓級單晶/多晶為主),用于芯片封裝前道支撐襯底,屬于高壁壘、高附加值賽道;當前在大面積長晶、精密減薄、晶圓鍵合全流程均存在顯著技術難點,產業化周期最長。綜合各路線商業化進度排序:4英寸以內小尺寸熱沉片>金剛石金屬基復合材料>8–12英寸大尺寸多晶金剛石薄膜/晶圓熱沉。
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