AI推理重塑存儲范式，國產存儲迎產業升級機遇

供需共振驅動存儲市場跨越式增長

自2024年生成式AI爆發以來，AI服務器對HBM、DDR5及高容量NAND的需求呈現指數級增長，同時海外存儲原廠在經歷行業虧損后自2023年起陸續減產，導致供給端收縮。隨著減產效應的深化以及AI推理需求的加速拉升，全球存儲行業進入供不應求的加速爆發期，打破了過往二十年的常規波動周期。根據IDC數據，全球DRAM營收在2025年突破1500億美元后，預計2026年市場有望增至5607億美元以上，同比增長顯著；NAND營收也有望從2025年的671億美元增至2026年的2890億美元，同比增長幅度巨大。在供需錯配的背景下，存儲價格自2025年第三季度以來加速拉升，盡管2026年第二季度后環比增速可能放緩，但在AI應用持續深化與海外原廠保持謹慎擴產的雙重共振下，存儲價格有望維持高位，行業景氣度持續。

AI需求重塑存儲新范式

AI需求正在重塑存儲新范式，存儲已不再是單純的算力配套資源，而是成為了決定AI系統整體性能與上限的核心基礎設施。服務器逐步超越手機成為存儲需求最主要的市場，2026年服務器DRAM占比預計將超過50%，服務器NAND Bit需求預計大增超60%并首次成為最大應用。為了打破AI海量數據與有限顯存之間的“內存墻”，一方面企業級SSD加速對傳統機械硬盤的替代，同時催生出高帶寬閃存（HBF）充當GPU的“高速硬緩存層”；另一方面，DRAM技術中長期向3D DRAM架構演進以滿足快速提升的存儲需求。AI推理側對低時延與成本效益的追求，直接推動了高密度、低功耗、超大容量企業級QLC SSD對傳統機械硬盤的加速滲透，而HBF則憑借高帶寬、大容量、低成本優勢成為緊貼AI加速芯片的“超大容量高速硬緩存層”，適配“讀多寫少”的AI推理場景。

國產存儲迎產業升級期

海外巨頭將資本開支與有限的晶圓產能全力向HBM、DDR5以及AI企業級SSD等高附加值領域傾斜，戰略性退出傳統存量市場，這為國產存儲產業鏈打開導入“窗口期”。在2D NAND與傳統DDR4利基市場，國產存儲廠商有望填補需求缺口。此外，國內存儲原廠與模組廠迎來“市占率提升與利潤釋放”的進階期：2026年第一季度長江存儲在NAND全球市占率升至6.8%，長鑫存儲在DRAM全球市占率升至7.5%；國內模組廠商則通過進入中高端手機、企業級等市場實現規模躍升，進入“規模增長-客戶加速導入-產品結構升級”的正向循環。獨立第三方主控芯片廠商有望隨國產原廠與模組廠增長同步擴張，隨著產業鏈分工重構，國產存儲廠商在上行周期中有望實現利潤增長與客戶加速導入的良性互動。