長電科技如何布局先進封裝？

長電科技緊跟行業發展方向，積極布局先進封裝。

2015 年長電科技收購星科金朋 時，星科金朋擁有的行業領先的高端封裝技術能力，如 eWLB、eWLCSP、TSV、3D 封 裝、SiP、PiP、PoP 等，能夠為國際頂級客戶和高端客戶提供下世代領先的封裝服 務。星科金朋擁有的系統集成封裝（SiP）技術，是新一代移動智能終端電路封測 的主流技術；晶圓級扇出封裝（“eWLCSP”）技術，是半導體行業增長最快的細分 市場之一，能夠在同一生產線無縫加工多種規格硅片，為晶圓級封裝帶來前所未 有的靈活性和高性價比的封測服務。截至 2024 年 6 月末，公司擁有專利 3,034 件, 產能覆蓋了高中低各種集成電路封測范圍，涉足各種半導體產品終端市場應用領 域，公司在嵌入式（EWLB）技術和系統集成（SiP）封測領域處于行業領先地位。 目前，長電科技擁有先進封裝技術有：扇入型晶圓級封裝(FIWLP)、扇出型晶圓級 封裝(FOWLP)、集成無源器件(IPD)、硅通孔(TSV)、嵌入型晶圓級 BGA 封裝（eWLB）、 包封芯片封裝(ECP)、射頻識別(RFID)、系統級封裝（SiP）、FCBGA、fcCSP、fcLGA、 fcPoP、FCOL 等。其中，長電科技在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝與質量方面擁 有豐富的經驗，包括采用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球或電鍍技術。 目前的晶圓凸塊產品包括 200mm 和 300mm 晶圓尺寸的晶圓直接凸塊、重布線凸塊 和扇出型凸塊，以提供完整的一站式先進倒裝芯片封裝和晶圓級封裝解決方案。

長電科技在先進封裝方面相較于其他封測公司有獨特的技術優勢。長電科技在 SiP 封裝的優勢體現在 3 種先進技術：雙面塑形技術、EMI 電磁屏蔽技術、激光輔 助鍵合（LAB）技術。雙面成型有效地降低了封裝的外形尺寸，縮短了多個裸芯片 和無源器件的連接，降低了電阻，并改善了系統電氣性能；對于 EMI 屏蔽，長電 科技使用背面金屬化技術來有效地提高熱導率和 EMI 屏蔽；長電科技使用激光輔 助鍵合來克服傳統的回流鍵合問題，例如 CTE 不匹配，高翹曲，高熱機械應力等 導致可靠性問題。在提供全方位的晶圓級技術解決方案平臺方面，長電科技處于 行業領先地位。倒裝技術方面，長電科技提供豐富的倒裝芯片產品組合，從搭載 無源元器件的大型單芯片封裝，到模塊和復雜的先進 3D 封裝，包含多種不同的低 成本創新選項。

先進封裝銷售量占比增加，長電科技對其研發投入增加。2023 年，長電科技先進 封裝產品的生產量、銷售量分別占總封裝產品的 30.65%、30.73%。公司研發投入 集中在高性能運算（HPC）2.5D 先進封裝、射頻 SiP/AiP、汽車電子等新興高增長 市場。在高性能先進封裝領域，長電科技推出了針對 2.5D、3D 封裝要求的多維扇 出封裝集成 XDFOI 技術平臺，XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已按 計劃進入穩定量產階段。公司持續推進多樣化方案的研發及生產，包括再布線層 （RDL）轉接板、硅轉接板和硅橋為中介層三種技術路徑，覆蓋了當前市場上的主 流 2.5D Chiplet 方案，且均已具備生產能力。經過持續研發與客戶產品驗證，長 電科技 XDFOI 不斷取得突破，已在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領域 應用，為客戶提供了外型更輕薄、數據傳輸速率更快、功率損耗更小的芯片成品 制造解決方案，滿足日益增長的終端市場需求。從技術能力、產能布局，長電科 技是目前國內 Chiplet 先進封裝領域最大參與者之一。在高性能運算市場，未來 公司將進一步推廣 XDFOI 技術，并投入 3D、存儲芯片和光電合封（CPO）的封裝研 發。

長電科技的先進封裝產品、服務和技術涵蓋了主流集成電路系統應用。長電科技 在 5G 通信類、高性能計算、消費類、汽車和工業等重要領域擁有行業領先的半導 體先進封裝技術（如 SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP 及 XDFOI®系列等）以及 混合信號/射頻集成電路測試和資源優勢，并實現規模量產，能夠為市場和客戶提 供量身定制的技術解決方案。 在通信領域，長電科技提供全系列的先進封裝和測試解決方案，包括 2.5D/3D 封 裝、晶圓級封裝、系統級封裝（SiP）等，為客戶提供完整的通信領域芯片成品制 造解決方案。在系統級封裝領域，長電科技在積極發展 2.5D/3D 封裝技術的同時， 也著力發展異構集成的 SiP 模組技術。公司深度布局的高密度異構集成 SiP 解決 方案，已應用于多款高端 5G 移動終端；移動終端的主要元件基本實現了所需封裝類型的全覆蓋。

在高性能計算領域，長電科技為高性能計算提供一系列封裝和測試解決方案，涵 蓋焊線封裝、倒裝芯片封裝、晶圓級封裝（WLP）和系統級封裝（SiP）。長電科技 獨有的 XDFOI 技術，作為一種新型無硅通孔（TSV）晶圓級極高密度封裝技術，可 以為高性能計算應用提供多層極高密度走線（3 層 RDL、L/S 2 微米）和極窄節距 凸塊互聯（節距 40 微米），并可集成多顆芯片、高帶寬內存（HBM）和無源器件， 在優化成本的同時實現更好的性能及可靠性。在云計算領域，公司具備全尺寸 fcBGA 產品工程與量產能力；在半導體存儲市場領域，封測服務覆蓋 DRAM，Flash 等各種存儲芯片產品，16 層 NAND flash 堆疊，35um 超薄芯片制程能力，Hybrid 異型堆疊等，都處于國內行業領先的地位。 在汽車電子領域，對于車載 MCU 的主流封裝方式 QFP/QFN 與 BGA，長電科技提供 成本極具競爭力的車規表面涂層處理的銅線 QFP/QFN 和 BGA，并在 QFP/QFN 封裝 技術上擁有超過千億顆出貨量的豐富經驗。此外，車規級倒裝、系統級封裝（SiP）、 扇出型晶圓級封裝以及 DBC/DBA 等技術均被廣泛采用。目前已量產倒裝芯片的 L/S 達 10 微米，Bump Pitch 小至 70 微米；車規級量產 1/2/3L RDL 的 L/S 達到 8 微 米；量產驗證過的最大 eWLB 封裝成品尺寸達到 12x12mm。長電科技也正在積極推 動高性能陶瓷基板如 DBC、DBA 的量產應用。

在高密度封裝集成工藝方面，長電科技提供包括高密度貼裝 SMT 能力、激光輔助 鍵合（LAB）、雙面成型 SiP、電磁干擾屏蔽等多項業界領先技術，可以用于射頻前 端模組（RFFE）、毫米波天線 AiP 模組等產品。公司不斷拓展 TOLL、TO263-7、 TO247-4 開爾文封裝形式，開發底部、頂部和雙面散熱等新型散熱結構，應用銀燒 結和 DBC 等先進工藝；已在垂直供電模塊 VCORE 的封裝材料、結構、熱管理、制 造工藝以及技術服務等方面積累了豐富經驗。