兆易創新如何受益于全球存儲產能結構性遷移及長鑫科技的合作？

兆易創新在全球存儲行業產能結構性遷移中受益顯著，主要體現在以下幾個方面：

首先，國際存儲龍頭的戰略調整為公司打開了產能替代窗口。三星、SK 海力士、美光等大廠持續退出利基型 DRAM 和 SLC NAND Flash 產能，轉向 HBM、DDR5 等高階產品。鎧俠、美光等也在削減 SLC NAND Flash 產能。這導致供給缺口自 2025 年起顯著釋放，為兆易創新提供了市場份額擴張的機會。公司有望復刻其在 NOR Flash 領域已驗證的份額增長路徑，在利基型 DRAM 與 SLC NAND Flash 市場實現份額的較快增長。

其次，公司與長鑫科技的深度合作是 DRAM 業務的核心支撐。長鑫科技是中國內地唯一實現 DRAM 規模化穩定量產的原廠，兆易創新為其 DRAM 晶圓規模最大的外部 Fabless 代工客戶。2026 年，兆易創新從長鑫科技采購代工 DRAM 產品年度額度大幅提升至 57.11 億元，較 2025 年的 11.82 億元同比提升約 383%。依托長鑫科技代工產能的釋放，公司 DDR4 8Gb 于 2025 年初量產，LPDDR4 量產與 LPDDR5 研發持續推進。我們預測公司 DRAM 收入在 2026/27 年分別為 103.7/139.1 億元，同比增長顯著，毛利率從 2025 年的 30.5%提升至 2026 年的 69.9%和 2027 年的 75.9%。

此外，專用型存儲需求具備剛性，智能駕駛、AI 等打開增量空間。利基型 DRAM 憑借低延遲、隨機讀寫的特性適配設備實時運算緩存；SLC NAND Flash 擦寫壽命與穩定性出眾；NOR Flash 支持代碼就地執行。這些特性使得專用型存儲在汽車、工控等場景中具有不可替代性。同時，AI 服務器對 NOR Flash 大容量需求提升，端側 AI 催生定制化存儲 DRAM 需求，進一步推動了專用型存儲市場規模的增長。