中芯國際業務布局及經營看點在哪？

大陸晶圓代工脊梁，資本開支強勁增長。

復盤臺積電發展歷程，我們看到其發展進程中存在三大關鍵節點（關鍵制程節點的進步： 0.13 微米銅工藝、28nm、7nm/10nm 先進制程以及先進封裝平臺），各節點皆由技術突 破所催生。正是憑借“技術領先”，臺積電得以擁有定價權，從而獲取高利潤率，而人工 智能或許將成為其第四大關鍵節點。代工行業呈現重資本支出、研發投入高以及注重知 識經驗（Knowhow）積累的特性。規模效應（借助重資產杠桿）與先發優勢（折舊壓力 逐漸降低）致使馬太效應極為顯著。臺積電的發展歷程可歸結為技術突破、規模擴張以 及持續研發相互促進、協同推進的螺旋式上升進程。在此過程中，公司成功贏得大客戶， 增強了客戶黏性，進而逐步穩固并強化其在行業內的龍頭地位。 復盤中芯國際的發展歷程，其主要分為三個階段，2004 年前的奠基期，2004-2015 年的積累 時期以及 2015 年之后的高速發展期。

奠基階段（2000 年-2004 年）：2000 年，公司于上海浦東啟動建設項目，成為中國大陸 首家提供 0.18 微米晶圓代工服務的企業。2001 年，上海 8 英寸生產基地建設完工。2002 年，達成 0.18 微米的全面技術認證并實現量產，且同年于北京舉行 12 英寸生產基地奠 基儀式。2003 年，收購天津摩托羅拉晶圓廠并組建中芯天津，相繼完成 0.35 微米-0.13 微米的全面技術認證與量產工作，標志著公司在集成電路晶圓代工技術方面初步完成積 累。2004 年，公司首次實現盈利，并于香港聯交所與美國紐交所成功上市。在此期間， 公司營收自 2002 年的 0.5 億美元增長至 2004 年的 9.7 億美元，年均復合增長率（CAGR） 達 340%，同時公司積極推進擴產舉措，資本開支的 CAGR 為 50%。

積累階段（2004 年-2015 年）：自 2004 年起，公司位于北京的 12 英寸生產基地逐步投 入生產運營。12 英寸集成電路晶圓代工業務的順利開展，堪稱公司發展歷程中的關鍵里 程碑，意味著公司成功轉型為兼具 8 英寸與 12 英寸集成電路晶圓代工業務能力的企業。 2005 年，公司年度營業收入首次超越 10 億美元大關。此后，公司分別于 2006 年、2009 年、2011 年成功實現 90 納米、65/55 納米、45/40 納米工藝的升級及量產工作，技術服 務水準得以大幅跨越提升。至 2013 年，公司年度營業收入首次突破 20 億美元數額。在 此期間，公司營收從 2004 年的 9.7 億美元增長至 2015 年的 22.7 億美元，年均復合增 長率（CAGR）達 8%。此階段內，公司每年資本開支總體維持相對穩定態勢，CAGR 為 -3%。公司產能從 04Q4 的 12 萬片/月提升至 15Q4 的 28 萬片/月。

高速發展階段（2015 年至今）：2015 年，中芯國際榮膺中國大陸首家達成 28 納米量產 的企業，成功填補了中國大陸高端芯片生產領域的空白，自此公司步入戰略調整后的高 速發展軌道，并相繼于上海、北京、天津及深圳等地開啟生產基地的新建與擴建工程。 2017 年，公司年度營業收入首次突破 30 億美元。至 2019 年，公司斬獲重大突破，實 現 14 納米 FinFET 工藝的量產，且第二代 FinFET 技術亦步入客戶導入環節。在此期間，公司營收由 2015 年的 22.7 億美元攀升至 2023 年的 63.2 億美元，年均復合增長率 （CAGR）達 13.7%。公司積極推進擴產進程，尤其在 2020 年資本開支增速高達 179%， 2022 年資本開支增速亦達 47%，總體而言，2015-2023 年資本開支的 CAGR 達 25%。 公司產能從 2014 年第四季度的 25 萬片/月提升至 2024 年第三季度的 88 萬片/月。

代工行業呈現出重資產的顯著特性，每當出現新的技術節點，且在實現量產以及良率提 升之后，產品往往會面臨降價的情況。如此一來，后進入該行業的廠商若要攤平固定資 產折舊成本，則需要耗費更長的時間，并且對產品良率以及設備稼動率的要求相較于先 發廠商而言更為嚴苛，這便致使該行業馬太效應頗為顯著。那些在技術方面占據領先地 位的廠商，能夠構建起技術突破→形成規模效應→投入更多研發資金近乎完美的閉環。 總體而言，臺積電在處于高速發展階段、行業周期上行時期以及保持技術領先優勢的情 況下，均能獲得較為良好的估值支撐。而中芯國際作為中國大陸范圍內唯一一家具備提 供先進制程服務能力的晶圓廠，在“China for China”（（立足中國、服務中國）這一趨勢 背景之下，與臺積電在全球維度上所展現出的技術領先態勢相類似。未來，隨著行業周 期上行、技術持續進步以及新技術或新趨勢催生出的需求不斷擴容，中芯國際有望借此 提升自身的估值中樞。

中芯國際位居全球晶圓代工企業銷售額第三。中芯國際是世界領先的集成電路晶圓代工 企業之一，也是中國大陸集成電路制造業領導者，擁有領先的工藝制造能力、產能優勢、 服務配套。根據全球各純晶圓代工企業最新公布的 2023 年銷售額情況排名，中芯國際 位居全球第四位，在中國大陸企業中排名第一。單季度來看，根據 Trendforce 數據，自 24Q1 起，受益于消費性庫存回補及國產化趨勢加速，24Q1 中芯國際銷售額超越格芯與 聯電，居全球晶圓代工企業第三，且受益于產品組合優化及 12 英寸新增產能開出，公司 24Q2，24Q3 穩居第三，全球市場份額 24Q3 達 6.0%。 立足中國，面向世界，具備全球競爭優勢。國內方面，公司在北京、深圳、天津、上海 等多地建有多座 8 英寸和 12 英寸晶圓廠，產能布局結構合理。同時公司基于國際化運 營的理念，組建了國際化的管理團隊與人才隊伍，建立了輻射全球的服務基地與運營網 絡，在美國、歐洲、日本和中國臺灣設立了市場推廣辦公室，在中國香港設立了代表處， 以便更好地拓展市場，快速響應來自客戶的需求，且公司高度重視與集成電路產業鏈的 上下游企業的合作，積極提升產業鏈整合與布局的能力，構建緊密的集成電路產業生態， 為客戶提供全方位、一體化的集成電路解決方案。

產能持續擴建，產品結構進一步優化。從晶圓尺寸來看，公司 12 英寸晶圓產品營收占比 逐步提升，24Q3 占比達 78.5%，且根據公司 24Q3 法說會，公司 24Q3 新增 2.1 萬片 12 英寸晶圓產能，預計 Q4 再釋放 3 萬片每月 12 英寸產能，當前 12 英寸產能持續接近滿 載，且對應節點附加值較高，公司提出自 2023 年起，未來 5-7 年將新增 12 英寸產能 34 萬片/月，主要集中于中芯東方、中芯深圳、中芯西青、中芯京城，伴隨公司產能擴 充，產品結構進一步優化，ASP 提升，且 12 英寸產能進一步釋放有助于增強覆蓋客戶需 求能力，提升競爭力。分領域來看，自 23Q4 起，消費電子領域營收占比逐步提升，24Q3 占比達 42.6%，受益于下游市場溫和復蘇及消費電子廠商提前備貨。

一體化布局，產品體系完善。公司是中國大陸較早進入集成電路晶圓代工領域的企業， 長期專注于集成電路工藝技術的開發，技術節點豐富，產品體系完善，可提供通訊產品、 消費品、汽車、工業、計算機等不同領域集成電路晶圓代工及配套服務，除集成電路晶 圓代工外，公司亦致力于打造平臺式的生態服務模式，為客戶提供設計服務與 IP 支持、 光掩模制造、凸塊加工及測試等一站式配套服務，促進集成電路產業鏈的上下游合作， 以實現為客戶提供全方位的集成電路解決方案。

成熟制程覆蓋全面，大陸首家具備量產 14nmFinFET 能力本土晶圓廠商。中芯國際擁 有全面一體的集成電路晶圓代工核心技術體系，成功開發了 0.35 微米至 14 納米的多種 技術節點，其中公司 28nm 具備高介電常數金屬柵極、鍺硅應力提升技術和超低電介質 材料銅互聯工藝，可用于高性能應用處理器、移動基帶及無線互聯芯片領域，14nm 應用 FinFET 新型器件，高性能/低功耗，支持超低工作電壓，應用多重曝光圖形技術，集成度 超過 3x10^9 個晶體管/平方厘米，可應用于高性能低功耗計算及消費電子產品領域，例 如智能手機、平板電腦、機頂盒、AI、射頻、車載和物聯網等領域。

本土優勢+品牌效應，打造晶圓代工國產替代龍頭。相對于國內競爭對手，公司已與境 內外領先芯片設計廠商建立了長期穩定的合作關系，以便掌握行業、產品最新技術動態， 及時了解和把握客戶最新需求，準確地進行芯片產品更新升級，確保公司產品在市場競 爭中保持先發優勢，同時積累產品行業應用經驗，完善產品性能，提高產品質量水平。 相對于國外競爭對手，公司一方面更加貼近、了解本土市場，能夠快速響應客戶需求， 提供充分的服務支持；另一方面，公司與國內芯片設計廠商在企業文化、市場理念和售 后服務等方面更能相互認同，業務合作通暢、高效，形成了密切且相互依存的產業生態 鏈。根據 SEMI 數據，中國大陸 12 英寸晶圓產能全球份額將從 2022 年 22%增加到 2026 的 25%，產能達到每月 240 萬片，當前全球晶圓產能制程節點向 28nm 及以下集中，先 進制程晶圓進口存在極大不穩定性，公司以本土優勢+品牌效應為基礎，在國內需求+國 產替代需求雙重上升拉動下，晶圓代工國產替代龍頭地位進一步鞏固。

特色工藝布局演進，多平臺齊頭并進。公司成功開發了電源/模擬、高壓驅動、嵌入式非 揮發性存儲、非易失性存儲、混合信號/射頻、IGBT、物聯網、汽車電子等多種特色工藝 平臺，均已達到了行業先進的技術水平，充分受益于下游市場需求回暖，各行業智能化 滲透率持續提升及消費補貼、家電下鄉及 AI 發展等拉動的消費電子換機潮。 1） 電源/模擬技術平臺：基于現有的低功耗邏輯平臺可提供模塊架構，為模擬和電 源應用提供了較低的成本和優越的性能，技術包括雙極晶體管、高壓 LDMOS 晶 體管、精密模擬無源器件和 eFuse/OTP/MTP 非易失性存儲器，同時提供有競爭 力的 Rds（on）功率器件，可應用于消費電子、汽車等領域。 2） 高壓驅動：驅動 IC 是控制液晶面板及 AMOLED 面板開關及顯示方式的集成電路 芯片，公司持續開發更先進的高壓工藝平臺，包含大尺寸及中小尺寸面板 IC,并 提供具競爭力的 SRAM 單元尺寸，以滿足客戶多方面的設計要求。 3） eNVM：公司提供了完整的嵌入式非揮發性存儲技術與廣泛 IP 支持，可應用于 智能卡、微處理器和物聯網應用，幫助客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可 靠性的產品，和更具經濟效益的解決方案。4） NVM：涵蓋 24 納米、38 納米以及 65 納米到 0.18 微米技術節點，提供 ETOXNOR 閃存技術解決方案。 5） IGBT：新型電力半導體器件的平臺性器件，具有高輸入阻抗，低導通壓降，驅 動電路簡單，開關速度快，電流密度大等優點。 6） 混合信號/射頻工藝技術：通過與國際領先 EDA 工具供應商的合作，提供精確的 RF SPICE 模型和完整的 PDK 工具包。 7） IoT：基于超低功耗+射頻+嵌入式閃存技術及全面的物聯網 IP/Subsystem 生態 系統，提供專業、安全、完整的本土化服務。 8） 汽車電子：提供汽車電子三大領域（（數字化、模擬式、感應感知）最優質、最可 靠的工藝平臺。