復旦微電競爭優勢及產品競爭力如何？

公司通過優化產品性能、提升客戶服務、穩定產品價格，持續保持市場競爭力。

1.復旦微電品類齊全應用廣泛，持續研發鞏固技術 優勢

2.1、 安全與識別芯片門類齊全，產品應用廣泛

公司依托自主研發的射頻、存儲器和安全防攻擊技術打造安全與識別產品線，目 前已推出 RFID 與存儲卡芯片、智能卡與安全芯片、智能識別設備芯片等多個產 品系列。產品覆蓋存儲卡、高頻/超高頻標簽、NFCTAG、接觸式/非接觸式/雙界 面智能卡、非接觸讀寫器機具以及移動支付等數十款產品，目前已導入多家下游 廠商。RFID 產品方面，公司相關產品終端用戶覆蓋中國銀聯、漢朔、SESimagotag、阿里巴巴、京東商城、分眾傳媒等國內外知名公司。社保卡方面，公 司為社保卡量身研制的 FM12CD32 系列已在天津社保、黑龍江社保、吉林社保、 河南社保、湖南社保、江西社保、四川社保等項目中批量應用；公司面向國內金 融 IC 卡市場的 FM1280 系列產品，已在中國農業銀行、中國銀行、中國建設銀 行、交通銀行等銀行獲批量應用。

2.2、 安全與識別芯片業務穩定增長，持續研發鞏固技術優勢

公司通過優化產品性能、提升客戶服務、穩定產品價格，持續保持市場競爭力， 并通過積極拓展新領域，擴大安全與識別芯片業務營收規模。2022 年，公司安 全與識別芯片產品銷售額達 9.76 億元，同比增長 12.70%，其中智能安全系列的 金融社保芯片、RFID 與傳感系列的邏輯加密芯片以及高頻 RFID 標簽芯片、智 能識別系列的高頻讀寫器芯片等銷售額均保持穩定增長。技術方面，公司基于多 年 RFID 設計技術積累，推出新一代 NFC 技術和具有感知特性的超高頻 RFID 技術，并基于上述技術推出了多款物聯網安全芯片，優化了安全技術和低功耗技 術的平衡以適應物聯網低功耗安全應用的需求。此外，公司針對傳感領域積極進 行技術布局，目前已推出安全芯片、傳感芯片和射頻芯片相配套的安全解決方案。 未來公司安全與識別芯片業務有望憑借技術優勢保持穩定增長。

2.產品線與應用領域齊拓展，非揮發存儲器業務未 來可期

2.1、 技術儲備豐厚，產品品類豐富，積極研發助力產品持續突破

復旦微電非揮發存儲器業務技術儲備豐厚，產品種類豐富。技術儲備方面，公司 擁有 EEPROM，NOR Flash 及 SLC NAND Flash 產品設計與量產能力，并擁有 FLOTOX、ETOX、SONOS 等多種技術平臺。產品線方面，公司存儲器產品線 面向網通、工業、可穿戴、車規等領域，容量覆蓋 1Kbit-4Gbit。此外，公司存儲 器可與 FPGA、MCU、安全與識別等產品線相結合，為工控儀表、醫療、通訊、 汽車等應用領域供一站式解決方案，充分滿足各類客戶需求。未來公司規劃以新 工藝節點、低壓或寬壓、高速、高可靠性工規車規等領域為發展方向，積極拓展 非易失存儲器業務。

EEPROM 方面，公司 2000 年推出國內首款串行 EEPROM 產品，擁有豐富的 平臺和產品經驗。目前公司基于 0.13μm EEPROM 工藝平臺的 1.0μm2 cell 產品 已量產并在工規、車規領域具備一定競爭力。未來公司有望基于新一代超寬電壓、 高可靠性 EEPROM 設計平臺，圍繞低電壓、低功耗、高可靠性工規和車規等場 景積極拓展。 NOR Flash 方面，公司 2011 年推出 NOR Flash 產品，目前基于國內領先的 ETOX NOR 55nm 平臺 128Mb~8Mb 系列寬電壓產品已在商用、高可靠工規、 車規市場批量供貨。公司有望持續鞏固拓展現有 55nm 產品線，并針對中大容 量、高可靠性需求市場持續優化，通過提供多種器件結構、電壓與可靠性等級的 產品，充分滿足各類客戶需求。 NAND Flash 方面，公司 SLC NAND Flash 產品線 40nm、38nm 平臺 3.3V/1.8V 產品已成熟量產，廣泛應用于可穿戴、互聯網、通訊、安全監控等領域。目前公 司 SLC NAND Flash 業務已進入 2Xnm 工藝節點，未來公司 NAND Flash 產品 線有望依托新一代工藝持續提升產品性能并優化成本。

2.2、 多重優勢塑造非揮發存儲器產品競爭力

從業務模式角度看，復旦微電與國內領先存儲廠商兆易創新、東芯股份均為 Fabless 模式，工藝制程更新速度快，管理成本較低，可在行業周期中進行逆周 期操作； 從市場推廣角度看，公司作為本土廠商，在中國大陸的渠道覆蓋及客戶關系方面 優勢明顯，在國內市場的成長性較中國大陸以外的市場參與者更優； 從工藝制程角度看，根據公司招股說明書（2021/7/29），復旦微電量產制程為 38nm/40nm，研發中的下一代產品制程為 28nm 制程，其他典型市場參與者如 兆易創新、東芯股份、華邦電子的量產制程均為 40nm 左右，研發中下一代產品 制程均為 2Xnm； 從技術參數角度看，公司產品在工作電壓、溫度范圍、工作頻率、數據保持時間、 靜電釋放等級等關鍵參數方面均與頭部競爭對手持平。在擦寫次數方面，公司產 品可保持 10 萬次擦寫，顯著高于競爭對手，在高可靠要求較高的應用中具備一 定的技術優勢。