直寫光刻技術(shù)在先進封裝領(lǐng)域相比傳統(tǒng)步進式光刻的核心優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？

直寫光刻技術(shù)在先進封裝領(lǐng)域的核心優(yōu)勢主要體現(xiàn)在數(shù)字化曝光能力與大尺寸適配性兩個方面。

一、數(shù)字化曝光實現(xiàn)動態(tài)補償，提升封裝良率

在Fan-out WLP及CoWoS-L等工藝中，RDL制程需完成芯片焊盤與再布線層的高精度對準。晶圓重構(gòu)及貼片過程中不可避免存在晶粒偏移，傳統(tǒng)掩膜光刻采用固定Mask進行統(tǒng)一曝光，無法針對單顆晶粒位置偏差進行補償，容易造成RDL與焊盤錯位。芯碁微裝WLP系列直寫光刻設(shè)備可在曝光前完成晶粒位置高精度測量，并實時生成數(shù)字掩膜，對每顆晶粒分別進行曝光補償，實現(xiàn)RDL與焊盤精準對準，有效提升互連良率并降低返工成本。

二、無需實體光罩，適配小批量多品種生產(chǎn)需求

直寫光刻無需制作實體Mask，產(chǎn)品設(shè)計修改僅需更新曝光數(shù)據(jù)即可，進一步提升工藝靈活性和開發(fā)效率。這一特性更適用于先進封裝小批量、多品種及快速迭代的生產(chǎn)需求，顯著縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

三、大尺寸幅面曝光與實時糾偏能力

隨著封裝尺寸擴展至大尺寸晶圓甚至面板級，傳統(tǒng)步進式光刻單次曝光面積受限于Reticle尺寸，需多次拼接完成整板曝光，拼接誤差隨曝光次數(shù)增加不斷累積。LDI技術(shù)基于對準標記實時識別基板翹曲及局部形變，動態(tài)修正曝光路徑，降低大面積曝光過程中的對位誤差，在5μm及以下RDL制造中優(yōu)勢尤為突出。

四、產(chǎn)業(yè)化進展與客戶驗證

根據(jù)芯碁微裝2025年年報，WLP系列已在多家先進封裝頭部客戶完成驗收并實現(xiàn)量產(chǎn)，獲得重復(fù)訂單。2026年7月，公司510×515mm板級封裝直寫光刻設(shè)備PLP 2000獲得重要客戶訂單，標志著PLP產(chǎn)業(yè)化突破。隨著CoWoS-L、CoPoS、CoWoP及PLP等先進封裝持續(xù)擴產(chǎn)，公司泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)有望進入加速放量階段。