CoWoS-L封裝技術(shù)相比前代方案的核心結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是什么？

CoWoS-L方案的核心結(jié)構(gòu)創(chuàng)新在于采用重組中介層（RI）設(shè)計(jì)，結(jié)合局部硅互連和RDL中介層，融合CoWoS-S的高性能和CoWoS-R的成本優(yōu)勢。具體而言，多個(gè)基于硅的LSI芯片被重組在一個(gè)基于模塑化合物的插接器中，以取代單一的硅插接器。

這一創(chuàng)新結(jié)構(gòu)為CoWoS-L帶來多項(xiàng)注入優(yōu)勢。前代CoWoS-S方案在擴(kuò)展到四倍reticle size或更大時(shí)，在生產(chǎn)和可靠性方面極具挑戰(zhàn)性，需依賴雙掩模和四掩模的光刻拼接技術(shù)。而CoWoS-L的無掩模縫合特性顯著提升了生產(chǎn)可行性，同時(shí)改善了良率表現(xiàn)。

從產(chǎn)能規(guī)劃來看，臺(tái)積電預(yù)估到2026年年底CoWoS-L占2.5D封裝產(chǎn)能的50%以上，2027年占比預(yù)計(jì)將提高至70%，表明該方案已被驗(yàn)證為先進(jìn)封裝擴(kuò)展的主流技術(shù)路線。在材料體系上，CoWoS-L采用模塑化合物包圍的TIV提供從基板到頂層芯片的直接垂直路徑，實(shí)現(xiàn)低插入損耗，中介層上下兩面均包含RDL層用于微凸塊和C4凸塊布線。

芯碁微裝的直寫光刻設(shè)備主要應(yīng)用于CoWoS-L的中介層曝光，區(qū)別于不應(yīng)用于CoWoS-S的限定，這一技術(shù)適配性差異也反映了CoWoS-L在曝光工藝上的獨(dú)特需求。下游國內(nèi)頭部封裝廠均已完成設(shè)備導(dǎo)入，未來隨著更多廠商加入CoWoS-L擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備需求將持續(xù)擴(kuò)大。