格林達(dá)在IC濕電子化學(xué)品領(lǐng)域的技術(shù)突破及國產(chǎn)替代進(jìn)展如何？

格林達(dá)在IC濕電子化學(xué)品領(lǐng)域已取得顯著技術(shù)突破，其核心產(chǎn)品TMAH顯影液的相關(guān)技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到SEMI G5標(biāo)準(zhǔn)要求。SEMI G5等級對應(yīng)28nm及以下的先進(jìn)邏輯芯片和存儲芯片制程，是先進(jìn)制程晶圓廠的必選規(guī)格，此前該檔次產(chǎn)品長期由日本、美國廠商壟斷。公司通過承接工信部“集成電路制造產(chǎn)線零部件、材料和關(guān)鍵設(shè)備關(guān)鍵材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化驗證項目”，與國內(nèi)芯片龍頭企業(yè)開展聯(lián)合體協(xié)同，完成了大規(guī)模集成電路用圖形化顯影液產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用驗證，并已通過政府主導(dǎo)的整體驗收。目前，公司正在穩(wěn)步推進(jìn)項目驗收后的收尾工作，并持續(xù)推進(jìn)IC客戶導(dǎo)入，旨在打破海外廠商在高端IC濕電子化學(xué)品市場的壟斷地位。

在市場需求方面，國內(nèi)Fab擴(kuò)產(chǎn)與先進(jìn)存儲升級為公司IC顯影液業(yè)務(wù)提供了強(qiáng)勁動力。中芯國際、晶合集成等成熟制程產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)帶來了晶圓投片量的增長，直接提升了IC顯影液的基礎(chǔ)需求。同時，存儲廠商在產(chǎn)能爬坡過程中伴隨制程升級，特別是高層數(shù)3D NAND通過垂直堆疊提升存儲密度，推高了工藝復(fù)雜度和掩膜版需求，進(jìn)而帶來顯影液使用頻次的上行彈性。這種從成熟制程到先進(jìn)制程的升級，有望進(jìn)一步抬升IC顯影液的使用頻次和單耗。格林達(dá)依托在面板領(lǐng)域積累的超凈高純制造能力和客戶基礎(chǔ)，有望在IC顯影液、剝離液等高端材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，打開從面板優(yōu)勢品類邁向半導(dǎo)體材料平臺的第二增長曲線。