硅光技術普及下，晶圓級測試面臨哪些核心挑戰及應對方案？

硅光技術的引入使得測試工作的重點轉移到了晶圓生產階段，晶圓級測試成為制約硅光制造良率優化與規模化制造的核心障礙。主要挑戰及應對要求如下：

首先，亞微米級耦合精度是首要挑戰。光纖探針與波導（通過光柵耦合器）的對準需要達到亞微米級精度。由于0.1 dB的耦合效率波動即可能導致測試誤判，這對測試機臺的機械穩定性和運動控制提出了極其苛刻的要求，必須確保極高的對準穩定性。

其次，復雜的光電協同測試增加了系統難度。系統必須在晶圓階段同步協調光學-光學（O/O）、光學-電學（O/E）及電學-電學（E/E）信號。這需要測試設備能夠精準測量響應度、消光比及插入損耗等關鍵參數，對儀器的多信號同步處理能力提出了高標準。

最后，嚴苛的熱環境模擬是驗證芯片可靠性的關鍵。由于硅光器件對溫度極度敏感，測試環境必須在25°C至150°C范圍內保持高度穩定。這一要求旨在驗證芯片在AI高負荷運轉下的真實表現，確保其在極端溫度條件下的性能穩定性。因此，測試設備需具備高精度的溫控系統和環境模擬能力，以應對上述多重挑戰。