海外科技行業(yè)先進封裝系列報告一：從制程微縮到系統(tǒng)集成，先進封裝技術變革與設備投資新周期.pdf

隨著摩爾定律放緩及光罩面積限制，半導體行業(yè)正從晶體管微縮轉向系統(tǒng)級集成，先進封裝成為提升AI芯片性能的核心平臺。本報告深入剖析了先進封裝技術的變革路徑及設備投資新周期。

技術路線競爭格局

臺積電CoWoS憑借硅中介層和高密度互連能力，成為AI訓練GPU的事實標準，但其產能受限且成本高昂。英特爾EMIB技術通過嵌入式硅橋實現(xiàn)互連，具備成本和面積優(yōu)勢，正逐漸獲得谷歌、聯(lián)發(fā)科等ASIC廠商的外部訂單，成為CoWoS的重要補充。未來，隨著封裝尺寸進一步擴大，臺積電推出的CoPoS技術將通過“化圓為方”及采用玻璃基板，解決散熱與翹曲問題，預計2028年量產后將成為下一代主流平臺。

市場規(guī)模與增長驅動

2.5D/3D先進封裝是主要增量來源，預計2024-2029年CAGR達25.8%。HBM層間連接從微凸塊向混合鍵合轉變，以及3D Die-to-Die技術的應用，將持續(xù)推動市場增長。

設備產業(yè)鏈投資機會

全球半導體資本開支向后道封裝測試設備傾斜。鍵合設備方面，混合鍵合雖短期受限于HBM高度限制，但長期趨勢確定，Besi、ASMPT等廠商受益；量測檢測設備因HBM層數提升導致檢測步驟非線性增長，KLA、Onto等廠商機會顯著；測試設備則受益于整體存儲和邏輯測試需求的增長，Teradyne和Advantest有望獲得業(yè)績增量。