金融產品深度報告：科創芯片設計ETF廣發（589210），AI驅動與國產替代共振下的科創板芯片投資機遇.pdf

研究目的與核心主題

本報告為東吳證券發布的金融產品深度報告，旨在分析科創芯片設計ETF廣發（589210）的投資價值，聚焦上證科創板芯片設計主題指數（950162.CSI）的編制特征、行業基本面及ETF產品運作機制，為投資者提供科創板芯片設計領域的配置參考。

指數核心特征

上證科創板芯片設計主題指數于2024年7月26日推出，選取科創板芯片設計領域上市公司證券作為樣本，截至2026年6月30日前十大成分股權重合計65.30%，半導體純度約95.96%，高度集中于數字芯片設計。指數覆蓋存儲芯片、高性能處理器、內存接口芯片、芯片IP及AI芯片等核心方向，為投資者提供較為純粹的"科創板+芯片設計"配置工具。

盈利與估值特征

芯片設計企業采用Fabless模式，固定資產投入較低，經營杠桿較強。指數EPS由2024年度的0.218元上升至2025年度的0.605元，2026年一季度EPS同比增幅約239.30%。截至2026年7月17日，指數市盈率（PE-TTM）為216.78倍，位于歷史30.20%分位點；市凈率為14.85倍，位于歷史91.00%分位點。高PB反映技術稀缺性與成長溢價，而PE分位相對溫和源于EPS快速增長對估值的消化。

存儲行業周期分析

本輪存儲周期自2025年第二季度持續上行，AI算力基礎設施建設帶來強需求增量，與剛性供給約束形成"緊平衡"。美光2026年全年HBM供應量已全部售罄，TrendForce預計2026年下半年至2027年下半年整體Server DRAM合約價將維持逐季上漲。3D DRAM于2025年相關產品發布，2026-2027年進入放量期，端側AI激發存儲新需求。長鑫存儲上市將增強資本實力，推動DRAM領域長期技術迭代與產能擴張，CBA架構開啟DRAM向3D演進新周期。

ETF產品信息

科創芯片設計ETF廣發成立于2025年12月11日，上市交易日期為2025年12月12日，聯接基金代碼為027520、027521。該基金為股票型、被動指數型、交易型開放式基金，管理費率0.50%/年，托管費率0.10%/年。截至2026年7月17日，基金流通市值8.74億元，流通份額13.05億份。產品采用完全復制法跟蹤標的指數，兼具行業指數化投資與ETF場內交易工具的雙重優勢。

風險提示

報告提示行業政策或監管環境突變、宏觀經濟不及預期、發生重大預期外的宏觀事件、指數及行業特有風險等四類風險，特別指出當前指數估值處于歷史較高水平，若成分股盈利增長不及預期，高估值可能面臨修正壓力。