美光科技股權結構、產能、主營業務及發展歷史復盤

全球存儲芯片寡頭，具備多維度優勢。

1. 高管構成豐富多元，核心股東均來自北美

公司高管多有閃迪、TI、Corvo 等傳統半導體大廠多年管理經驗，技術背景 過硬，對通信、網絡、汽車等多個下游領域具有較為深認知。核心管理團隊 人均從業時長超 30 年，跨越多輪半導體周期與存儲價格周期，已經在長期 經營中證明其優秀能力。公司管理層架構穩定，人員變動較少，內部治理體 系較為完備。

公司頭部股東均來自美股本土，或能在地緣競爭中處于有利地位。公司股權 結構較為分散，前十大股東合計占比約為 35%，均為美國頭部資管公司及 對沖基金。作為 DRAM 領域唯一、NAND 領域唯二的北美本土廠商，美光 曾多次受益于美國國家半導體戰略。考慮到存儲芯片在半導體市場的龐大規 模，以及對先進制程和先進封裝技術的高度依賴性，美光或能成為美國半導 體地緣政策的首要受益者。

2. 公司產能：位居行業前列，Fab 廠分布于東亞及美國本土

美光晶圓制造產能分布于美國、中國臺灣、日本及新加波，封測產能則主要 位于臺灣、新加坡馬來西亞及中國大陸，產能保持穩步擴張。目前公司 DRAM 晶圓產能主要依賴日本及中國臺灣，其中臺灣晶圓廠首次引入 EUV 光刻機，代表美光最新一代制程能力。NAND 產能主要依賴于新加坡廠。美 國佛吉尼亞工廠則主要負責成熟制程產品的制造。受到美國政府芯片法案補 貼，美光將在美建設兩座先進制程 DRAM 工廠，未來先進 DRAM 產能有望 實現突破。截止至 2024 年 3 月 29 日，美光宣布其位于西安的封測廠將追 加投資 43 億，總投資達到 110 億，拓展其 DRAM 封裝及測試能力，同時 還在推進對力成半導體西安工廠的整合工作，進一步彰顯其破除產能壁壘和 加大中國市場影響力的戰略規劃，在國內市場暫未明顯受到美國芯片法案等 影響。

公司存儲芯片產能位于世界前列。存儲 IDM 是全球晶圓產能的重要貢獻者， 約占全球晶圓產能的約 40%，高于全球純代工企業（臺積電、中芯國際等） 產能總和。目前，12 寸晶圓已經成為存儲芯片生產主流晶圓。相對于 8 寸 晶圓，良率相同情況下產能大約提升 1 倍，在生產相同制程芯片時成本更 低，對于芯片降本具有重要意義，是先進生產能力的代表性指標。據集邦咨 詢統計，截止至 2023 年 Q3，美光 DRAM 等效 12 寸產能位居全球第三， NAND 產能位居全球第四，均遠高于以長鑫存儲、長江存儲為代表的潛在競 爭對手，產能壁壘較為顯著。

3. 產品與業務：DRAM 與 NAND 構成公司營收的絕大部分， 下設四大 BU 應對不同應用市場

美光業務較為集中，DRAM 及NAND 產品合計占公司總營收的95%以上， 其余為 NOR Flash 等。DRAM 產品貢獻公司絕大部分毛利率，是公司利潤 核心來源。產品根據后續封裝程度的不同可以分為晶圓、顆粒及模組管理型 NAND 等。

根據下游應用場景，公司業務線下設四大事業部，分別為 CNBU（計算和網 絡業務）、 MBU（移動業務）、 EBU（嵌入式業務）和 SBU（存儲業務）， 2023 年各事業部營收占比分別為 37%，23%，16%及 23%。

根據硬件類型和應用領域，四大業務部發展格局和前景有所不同。從產品類 型及應用市場來看，CNBU 事業部主要服務于對 DRAM 性能有較高需求的 AI，云/通用服務器、5G 基礎設施及圖形處理市場，目前已經完成 1β節點 導入，預計將成為未來一段時間的主要增長點。MBU 專注于提供低功耗存 儲設備，代表公司最高制程節點與低功耗工藝。EBU 專注于成熟工藝在汽 車、工業及物聯網，ARVR 業務的應用，應用場景較多，產品種類廣泛。SBU 主要為企業、消費者提供先進工藝 SSD 存儲解決方案，引領 NAND 堆疊技 術的行業進步。

4. 公司復盤：浪花淘盡終成存儲巨頭，后來居上技術制勝

4.1. 1978 年-1983 年：存儲領域后起之秀，設計起家快速崛起

1969 年，Advanced Memory System 公司生產了第一款 DRAM 芯片，隨后1970 年，Intel 公司推出了第一個商用 DRAM 芯片，這標志著 DRAM 首次 成為個人電腦的標準存儲芯片，半導體存儲行業步入公眾視野。1978 年， 雙胞胎喬和沃德·帕金森以及同事道格·皮特曼于一家牙醫辦公室的地下室 創立了美光科技（Micron Technology）。他們最初將其設立為一家半導體設 計公司。直到 1980 年，他們說服了包括 J.R. Simplot 和 Allen Noble 在內 的幾位當地商人提供財務支持，建立了自己的生產設施，并于 1982 年銷售 了第一款 DRAM 產品，正式成為 IDM 芯片廠商。1981 年，美光首批 64K DRAM 實現量產，憑借其良好性能，Micron得以在眾多芯片制造商中存活。 此后持續投入經費于 256K DRAM 產品的研發，努力追趕國際巨頭的技術 進程。

4.2. 1984 年-2002 年：立足北美區位優勢，把握時機整合行業資源

憑借多款 DRAM 產品的領先優勢，美光成功于 1984 年登錄納斯達克市場， 步入快速成長期。當時，由于日本存儲公司 DRAM 技術取得了重大突破， 成功研制出 256K DRAM 技術，并且將良率提高到了 80%，全球存儲市場 完全由日本廠商主導。1985 年，日美簽署《廣場協議》，后日元持續升值， 日本半導體出口產品競爭力下降。1986 年，美國和日本達成了一項半導體 貿易協定，以限制日企在美傾銷。多方舉措極大限制日本半導體競爭優勢， 甚至在 1988 年出現內存芯片短缺，美光則憑借在北美本土的領先優勢飛速 擴張，吸納在美日半導體大戰中落敗的美國半導體企業。1998 年，美光購 買了德州儀器（TI）的內存芯片業務，包括在德克薩斯州、意大利和新加坡 的工廠。2001 年，公司通過收購合資伙伴神戶鋼鐵公司約 3.5 億美元的股 份，獲得了位于日本的 DRAM 制造商 KMT Semiconductor 的完全所有權。 2002 年公司又以 2.5 億美元及 150 萬 Micron 股票收購 Toshiba 在美 國子公司的 DRAM 業務，同年開發出世界第一款 1Gb DDR DRAM 產品， 成為世界五大 DRAM 供應商之一。

4.3. 2003 年-2014 年：多元發展，擴展 NAND 業務后來居上

美光始終尋求多元化的發展戰略，在發展歷史中先后從事過半導體顯示，邏 輯芯片、圖形芯片及個人 PC 業務。在存儲業務上也積極擴張產品矩陣。 2004 年，美光看到 NAND Flash 產品在堆疊降本上的巨大潛力，在原先 DRAM 和 NOR Flash 基礎上，推出首款 NAND 產品。2005 年，美光與英 特爾成立 NAND 合資企業 IM Flash Technologies，使美光獲得英特爾先進 的 NAND 技術和知識產權，進入快速增長且利潤率高的 NAND 閃存市場。 2006 年，美光收購 Lexar Media，整合存儲資源。2007 年，美光和英特爾 率先推出 40 納米以下 NAND 閃存。2010 年，美光從英特爾、意法半導 體、內華達州和 Francisco Partners 手中收購 NOR 制造商 Numonyx BV； 美光和英特爾宣布推出全球首款 20 納米 MLC NAND，只需 8 個芯片即 可在單個指尖大小的封裝中存儲 1Tb 數據，樹立了新的存儲基準。2012年， 美光成為首家量產采用 hi-k 金屬柵極技術 NAND 的公司。2013 年，美光收 購 Elpida Memory Inc. 和 Rexchip Electronics Corporation，一舉成為全 球第三大 DRAM 芯片廠商，DRAM 市場從此成為三足鼎立格局。

4.4. 2015 年至今：多次引領存儲技術革命，量產 HBM3E 具備世界頂尖 水準

經過多年的嘗試與打磨，美光最終選擇將業務收斂，僅保留具備全球競爭優勢的存儲業務，持續在半導體存儲推出具備里程碑意義產品。2015 年，美 光和英特爾宣布推出 3D XPoint 技術，幾十年來首次開拓了全新的內存類 別。這種非易失性存儲器的速度比 NAND 快 1,000 倍，耐用性高 1,000 倍。同年，美光和英特爾還推出 3D NAND，成為有史以來開發的最高密度 閃存，3D NAND 標志著半導體存儲的一個重要轉折點。通過垂直堆疊數據 存儲單元層，3D NAND 的容量是平面 NAND 技術的三倍。2016 年，基于 公司圖形芯片開發經歷，美光推出全球最快圖形 DRAM GDDR5X。 GDDR5X 提供高達 14Gb/s 的數據速率，基本上是之前 GDDR5 內存帶 寬的兩倍。

2018 年，美光推出業界首款四級單元(QLC) NAND SSD，容量達到 7.68TB， 位密度較三級單元 (TLC) NAND 高出 33%，加速 NAND 對硬盤驅動器市 場的進一步侵吞。2020 年，美光推出業界首款 176 層 NAND 閃存，同時 推出 GDDR6X，系統帶寬提升至每秒 1 太字節 (TB/s)；2021 年，推出業 界首款 1α DRAM 工藝技術 1α (1-alpha) 節點，在位密度、功耗和性能 方面實現了重大改進。2022 年，美光進一步將 NAND 堆疊層數提升至 232 層； 2024 年 2 月 26 日，美光宣布已開始批量生產 HBM3E 解決方案。 美光的 24GB 8H HBM3E 將成為 NVIDIA H200 Tensor Core GPU 的一部 分，該 GPU 將于 2024 年第二季度開始發貨，標志著美光成為全球第二 家量產 HBM3E 的廠商，其產品具備頂尖水準。