美光科技研究報告：AI超級周期，HBM再啟飛躍.pdf

上傳者：風****
時間：2024/06/17
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美光科技研究報告：AI超級周期，HBM再啟飛躍。作為全球三大存儲原廠之一，美光科技在多個領域具備全球領先實力，有望充分受益于AI革命與存儲周期反彈雙重利好因素，迎來快速上升周期。

存儲周期反轉進行，AI拉動估值中樞。復盤歷史，美光公司股價受需求革命與存儲周期雙輪驅動。從需求來看，Gen AI對儲存容量及存儲性能均有長期持續性需求，或可類比PC革命時代，大幅擴寬市場與估值空間；周期來看，當前正處在原廠庫存天數反轉、資本收縮初步見效階段，部分產品持續供不應求，價格上漲有望持續至2H2025 1H2026，推動美光營收及股價持續上升。

HBM異軍突起實現趕超，三大原廠共享百億美元市場，或可復現 DRAM競爭格局。我們預計2024年全球HBM市場將超百億美元規模，5年CAGR超20%，市場潛力巨大。當前三大原廠持續發力HBM：海力士領跑HBM3市場；三星在傳統型號上具有優勢；美光起步較晚，但憑其技術儲備及跨越式布局，先于三星推出HBM3E，已于2024 Q2開始批量發貨。目前美光HBM市場份額主要受TSV產能制約，隨著其日本TSV產線逐漸投產，有望在2025-2026年得到改善。

DRAM業務供需優化，NAND業務期待反轉，美光領跑多項領先技術。AI服務器大幅提升DRAM需求，同時HBM或將擠出傳統DRAM 約15%產能，結合原廠削減資本開支承諾，DRAM供需格局將長期向好。NAND需求穩步提升，考慮到競爭格局稍差，或將保持穩中回升態勢。美光長期在DRAM及NAND多項領域推出行業領先技術，其采用EUV光刻機的1-γ節點的DRAM芯片及232層 TLC NAND芯片均代表存儲行業最高技術水平，核心競爭力顯著。同時公司坐落于北美，充分享受地緣政治福利，發展環境較好。