民德電子功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局情況如何？

smart IDM賦能，全產(chǎn)業(yè)布局有望打造第二增長(zhǎng)曲線。

IDM、Fabless 和 Foundry 是半導(dǎo)體行業(yè)兩種主流運(yùn)營(yíng)模式，各有優(yōu)劣。所謂 IDM， 是指集芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身的模式，其優(yōu)點(diǎn)主 要體現(xiàn)在設(shè)計(jì)、制造等環(huán)節(jié)協(xié)同優(yōu)化等，缺點(diǎn)主要體現(xiàn)在投資、運(yùn)營(yíng)、管理成本等高昂， 且制程越先進(jìn)，劣勢(shì)通常越明顯。所謂 Fabless 和 Foundry，是指立足分工的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、 制造等的模式，該種模式下，通過(guò)專(zhuān)業(yè)分工，降低了企業(yè)資本開(kāi)支，但缺陷也較為明顯： 相對(duì)于 IDM，工藝協(xié)同方面較弱等。

smart IDM 模式綜合了上述兩種模式優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)參控股方式，公司構(gòu)筑了綜合了上述 兩種模式優(yōu)勢(shì)的 smart IDM 模式，打通功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。smart IDM 模式下，公司對(duì) 產(chǎn)業(yè)鏈上下游各環(huán)節(jié)企業(yè)均保持足夠影響力，卻不謀求擁有：1）與傳統(tǒng) IDM 模式類(lèi)似， Smart IDM 模式是在產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)進(jìn)行布局，既保證了產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司緊密合作，以 實(shí)現(xiàn)特色工藝和供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定；2）與 Fabless 和 Foundry 類(lèi)似，smart IDM 使得產(chǎn) 業(yè)鏈上各家公司保持了獨(dú)立的組織架構(gòu)、自主的產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃和廣闊的國(guó)際化發(fā)展空間， 減輕了資本開(kāi)支壓力。目前，公司參控股公司已形成了較強(qiáng)的協(xié)同：

1）晶睿電子致力硅片供應(yīng)：目前，量產(chǎn)的產(chǎn)品為 4/5/6/8 英寸硅基外延片，產(chǎn)能已超 過(guò) 20 萬(wàn)片/月。二期項(xiàng)目—智能感知系統(tǒng)應(yīng)用特種硅片項(xiàng)目（拋光片）已開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì) 今年年底完工并開(kāi)始量產(chǎn)；同時(shí)，晶睿電子也在著手準(zhǔn)備碳化硅外延片的生產(chǎn)工作，且已 有明確意向客戶(hù)，后續(xù)將基于供應(yīng)鏈和市場(chǎng)情況，逐步推出碳化硅外延片產(chǎn)品；

2）廣芯微電子布局晶圓代工：一期產(chǎn)能規(guī)劃為 10 萬(wàn)片/月的 6 英寸高端特色硅基晶 圓代工產(chǎn)能（計(jì)劃爭(zhēng)取在今年春節(jié)前實(shí)現(xiàn)通線投產(chǎn)），但實(shí)際上，在同等投資規(guī)模情況下， 一期項(xiàng)目產(chǎn)能公司預(yù)計(jì)可提升至 13 萬(wàn)片/月（芯微泰克后續(xù)將承接廣芯微電子的超薄片背 道代工環(huán)節(jié)，公司只需保留基本的背道工序，空出的潔凈室空間可以進(jìn)一步擴(kuò)充廣芯微電 子的正面工藝產(chǎn)能）。根據(jù)公司初步規(guī)劃，二期建設(shè) 3 萬(wàn)片 8 英寸晶圓代工產(chǎn)能。產(chǎn)品定 位上，堅(jiān)持“以進(jìn)口替代為主，以工業(yè)和能源市場(chǎng)為主”，明年計(jì)劃開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)的主要產(chǎn) 品包括：MOS 場(chǎng)效應(yīng)二極管、900-1500V 高壓 MOS、IGBT、FRD、SiC 二極管等；

3）芯微泰克致力超薄背道代工：在技術(shù)和業(yè)務(wù)上與廣芯微電子協(xié)同互補(bǔ)，主要為功 率器件設(shè)計(jì)公司和晶圓廠客戶(hù)提供定制化的超薄片背道代工服務(wù)（規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 270 萬(wàn)片 功率器件薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)線）。伴隨國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷升級(jí)，中高端功率器件減薄是必然趨勢(shì)，市場(chǎng)需求旺盛，薄片/超薄片有助于改善器件結(jié)構(gòu)、提升器件性能、 減小能量損耗、提升產(chǎn)品價(jià)值。超薄片背道代工廠是稀缺資源，公司團(tuán)隊(duì)均為業(yè)內(nèi)資深專(zhuān) 家，具有豐富的晶圓廠及超薄片加工產(chǎn)線建設(shè)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，且長(zhǎng)期與海外該領(lǐng)域頂級(jí)機(jī)構(gòu) 保持技術(shù)交流合作。項(xiàng)目目前處于建設(shè)階段，預(yù)計(jì)明年年中開(kāi)始量產(chǎn)。屆時(shí)，廣芯微電子 所有產(chǎn)品均會(huì)在芯微泰克加工成薄片或超薄片再對(duì)外銷(xiāo)售，將顯著提升器件性能和價(jià)格；

4）廣微集成立足功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)：主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)、生產(chǎn)（生 產(chǎn)部分主要由代工廠完成）和銷(xiāo)售。主要產(chǎn)品為 20V-1700V 全系列硅基功率器件，分為溝 槽式 MOS 肖特基二極管（TMBS）、快恢復(fù)二極管（FRD）、三端場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件（VDMOS） 三類(lèi)。目前，公司在 12 英寸晶圓代工廠開(kāi)發(fā)的 SGT-MOSFET 已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，根據(jù)其公告， 下半年將針對(duì) SGT-MOSFET 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)出更多型號(hào)。此外，公司也已著手啟動(dòng)芯片成品銷(xiāo) 售工作，為明年擴(kuò)產(chǎn)上量做好前期銷(xiāo)售準(zhǔn)備工作。

通過(guò)股權(quán)持股交叉安排，綁定行業(yè)內(nèi)頂尖人才。民德電子通過(guò)現(xiàn)金支付廣芯微電子股 權(quán)費(fèi)用，而公司創(chuàng)始人通過(guò)二級(jí)買(mǎi)入民德電子股票，從而形成交叉持股安排。以廣微集成 和廣芯微電子為例，創(chuàng)始人謝剛是國(guó)內(nèi)硅基功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化工作及第三代功率半導(dǎo) 體器件的頂尖人才，在 IGBT 和第三代功率半導(dǎo)體器件的科研和產(chǎn)業(yè)化方面有豐富的經(jīng)驗(yàn)， 在轉(zhuǎn)讓股份時(shí)，民德電子支付給謝剛現(xiàn)金，而謝剛通過(guò)在二級(jí)市場(chǎng)買(mǎi)入民德電子的股票（目 前已成為民德前十大股東）綁定了行業(yè)內(nèi)頂尖人才，彌補(bǔ)了民德電子在功率半導(dǎo)體技術(shù)方 面的短板。

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化加速推進(jìn)，有望打造公司第二增長(zhǎng)曲線。公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化加 速推進(jìn)主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面： 第一，從硅片到晶圓制造產(chǎn)能超預(yù)期釋放，產(chǎn)品加速推向市場(chǎng)：根據(jù)公司公告，①晶 睿電子原規(guī)劃產(chǎn)能為 2022 年底 100 萬(wàn)片/年，當(dāng)前已達(dá)到 240 萬(wàn)片/年（年化）；②廣芯微 電子的晶圓制造產(chǎn)線原計(jì)劃 2024 年 Q1 通線，當(dāng)前公司爭(zhēng)取 2023 年 Q1 通線，2023 年 底達(dá)產(chǎn)；③廣微集成 2020 年凈利潤(rùn)就已經(jīng)轉(zhuǎn)正，核心產(chǎn)品 MFER 銷(xiāo)售數(shù)量迅速增加。

第二，碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化穩(wěn)步推進(jìn)。①2021 年公司募投碳化硅功率器件項(xiàng)目， 規(guī)劃到 2027 年形成 6 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)能 3.6 萬(wàn)片/年。目前，廣微集成已與方正微 電子就碳化硅工藝平臺(tái)進(jìn)行了初步驗(yàn)證，經(jīng)過(guò)兩年時(shí)間的驗(yàn)證，已形成了兩款穩(wěn)定、可量產(chǎn)的 1200V（分別為 2A 和 10A 規(guī)格）碳化硅肖特基二極管器件產(chǎn)品，該等產(chǎn)品處于小批 量投產(chǎn)階段，試產(chǎn)規(guī)模約 200 片，其中 1200V/10A 規(guī)格的產(chǎn)品已交由終端用戶(hù)進(jìn)行終端 驗(yàn)證，驗(yàn)證時(shí)間已超過(guò) 3 個(gè)月，不存在異常反饋；②晶睿電子已在著手準(zhǔn)備 SiC 外延片的 生產(chǎn)工作；③廣芯微電子從海外采購(gòu)的 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)備陸續(xù)運(yùn)抵麗水倉(cāng)庫(kù)，計(jì)劃明 年會(huì)實(shí)現(xiàn) SiC 功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)；④芯微泰克 2023 年投產(chǎn)后，也將開(kāi)展 SiC 器件背道 減薄代工業(yè)務(wù)，目前已有多家意向儲(chǔ)備客戶(hù)。