長鑫科技在4F² DRAM架構創新方面的布局進展及其對突破設備管制瓶頸的戰略價值

長鑫科技在4F2 DRAM架構創新方面布局領先全球。2023年底，公司發布采用垂直溝道晶體管（VCT）和4F2布局的18nm DRAM相關論文，公布其已研制成功六邊形電容器結構的JL-GAA垂直溝道晶體管單元陣列，首次實現8Gb全陣列JL-GAA VCT架構，在性能上實現了開關比和線性噪聲系數的雙重突破，在當時最先進的硅基垂直柵極場效應晶體管中位列前列。

該成果展示了長鑫在出口管制與設備限制背景下，依靠架構創新實現"以結構補制程"的技術突破路徑。半導體設備制造商東京電子估計，采用VCT和4F2技術的DRAM將在2027年至2028年間問世。長鑫的4F2方案逐步推動量產，進度與國際頭部廠商接近。

CBA技術方面，產業趨勢已凸顯。該技術將存儲晶圓與邏輯控制電路晶圓分開制作，利用混合鍵合方式進行堆疊，NAND領域已率先應用。分析指出，4F2需要垂直柵/豎溝道與更短節距，若制造完外圍邏輯晶體管后再制造存儲單元陣列，存儲陣列制造中的高溫處理會對下方外圍邏輯電路產生傷害，因此存儲單元陣列和外圍邏輯電路拆開制作更為合理高效。Yole預測4F2單元微縮與CBA集成預計使位密度提升30%，同時支持使用高級邏輯節點提高性能與可靠性，該技術組合有望在2028年實現應用。

從戰略價值看，4F2+CBA技術路線使國產DRAM廠商在EUV光刻機等關鍵設備受限的情況下，仍可通過架構創新持續提升存儲密度與性能，降低對最先進制程設備的依賴程度，為國產DRAM產業爭取技術迭代時間與自主可控空間。