長鑫科技-688825-打破DRAM海外壟斷的本土破局者，存儲大周期下駛入成長快車道.pdf

研究目的與核心內容

本報告為長鑫科技新股研究報告，分析其作為國產DRAM破局者的發展現狀、市場機遇與技術路徑。長鑫科技成立于2016年，是中國規模最大、技術最先進的DRAM IDM企業，全球第四大DRAM原廠，2026年第一季度營收份額達7.7%。

核心數據

財務方面，2025年公司收入618億元，同比增長156%；2026年第一季度營收508億元，同比增長719%。2025年凈利潤71億元，歸母凈利潤19億元，實現扭虧為盈；2026年上半年預計凈利潤660-750億元，歸母凈利潤500-570億元，業績爆發式增長。產能方面，合肥、北京3座12英寸晶圓廠預計2026年全部達產，上海新建DRAM及HBM產線預計2027年投產。

市場與競爭

DRAM為存儲器最大細分市場，2025年占全球存儲器市場約65%。AI驅動服務器成為最強增長動力，服務器DRAM需求占比預計從2024年38%提升至2026年50%-60%。三星、海力士、美光三大原廠合計營收份額90%，長鑫引領國產替代，但國產化率僅約23%，替代空間廣闊。

技術追趕

制程方面，長鑫主力制程約16-17nm，落后國際原廠1-2代。產品迭代呈現分化：LPDDR5/5X已實現量產追平，LPDDR6進度基本持平；DDR5落后約3年但性能接近；HBM落后兩個代際。4F2架構創新成為突破制程瓶頸的關鍵路徑，長鑫布局領先，2023年底發布VCT+4F2方案，探索"以結構補制程"路徑。

風險提示

行業需求不及預期、存儲漲價不及預期、產能布局不及預期、信息滯后及行業規模測算偏差風險。