如何看待中國大陸先進制程、存儲擴產彈性？

中國大陸先進制程、存儲擴產高彈性。

摩爾定律：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔 18~24 個 月便會增加一倍，性能也將提升一倍。在過去的半個多世紀中，以 CMOS 技術為 基礎的集成電路技術一直遵循“摩爾定律”，即通過縮小器件的特征尺寸來提高 芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本，取得了巨大的經濟效益與科學技術 的重大發展，推動了人類文明的進步，被譽為人類歷史上發展最快的技術之一。

摩爾定律雖然放緩，但仍然是芯片性能升級最主要驅動力。AMD CEO 蘇姿豐在2019 年表示，過去十年來 CPU、GPU 的性能約每 2.5 年翻倍，盡管摩爾定律有所放緩， 但根據 AMD，在過去十年芯片的性能提升中，40%歸功于制程節點的提升，其他如 TDP、格外的芯片尺寸、架構升級以及功耗管理等亦扮演重要角色。

BIS 升級出口管制措施。 2018 年 8 月，美國頒布了《2018 年出口管制改革法》，其中美國商務部下設 的工業與安全局（BIS）負責軍民兩用物項出口管制的監管。BIS 對于“出口 行為”的管控范圍、以及對被出口“物項”的管控范圍均十分寬泛。不僅是 處在美國、或美國生產的物項可能被納入管控范圍，依賴美國技術生產、或 含一定比例“美國成分”的物項均有可能被納入管控，即便并非由美國企業 生產。

2022 年 10 月，美國針對半導體等發布出口管制措施，其中關于半導體制造 相關的是禁止向中國的半導體制造“設施”上“開發”或“生產”提供滿足 以下任一標準的物項： A． 具有 16nm 或 14nm 或以下生產技術節點的非平面晶體管結構的邏輯集成 電路； B． 128 層或以上更多堆疊的 NAND 閃存集成電路； C． 18nm 半間距或更小的 DRAM 內存集成電路。

2023 年 10 月，BIS 發布《半導體制造物項更新規則》，在物項管控層面增加 了受管控設備，其中對光刻設備管控限制為： 用于對晶圓進行對準和照射以進行加工的重復設備（"步進重復"（"直接晶 圓步進"）設備或"步進掃描"（掃描儀）設備），采用光學或 X 射線方法，具 有以下任意一項或兩項條件： 1.光源波長小于 193nm，或 2.光源波長等于或大于 193nm 米，且同時滿足: a.能夠生產具有"最小可分辨特征尺寸"（MRF）為 45nm 或更小的圖案；和 b.滿足以下任意一項: b.1:DCO(最大專用卡盤覆蓋)值小于或等于 1.50nm;或 b.2:DCO(最大專用卡盤覆蓋)值大于 1.50nm 但小于或等于 2.4nm。

BIS 限制下，中國大陸無法獲得 EUV 及先進 DUV 光刻機。以 ASML 的光刻機參數 為例，公司所有 EUV 設備均使用 13.5nm 波長光源，因此都在限制范圍內。此外， 根據 ASML，DUV 系列光刻機中，公司預計自 2024 年開始不再能獲得向中國大陸 出貨其 TWINSCAN NXT:2000i 及更高端型號設備的出口許可。

2025 年：臺積電計劃量產 N2 節點，美光計劃量產 1γDRAM。2024Q2 臺積電收入 中 7nm 及以下節點占比約 67%，從應用領域來看，智能手機、高性能計算平臺收 入占比達到 85%。同時臺積電表示智能手機、高性能計算客戶對最先進制程節點 的需求強勁，公司計劃 2025 年量產 N2 節點，預計 N2P 及 A16 在 25H2 量產。美 光目前量產的 DRAM 均采用 DUV 光刻設備制造，公司已于 2024 年開始試生產基于 EUV 光刻的 1γ DRAM，并計劃于 2025 年量產。 中芯國際 2023 年銷售額位列晶圓代工行業第四位。中芯國際是世界領先的集成 電路晶圓代工企業之一，也是中國大陸集成電路制造業領導者，擁有領先的工藝 制造能力、產能優勢、服務配套，向全球客戶提供 8 英寸和 12 英寸晶圓代工與 技術服務。根據全球各純晶圓代工企業 2023 年銷售額情況排名，中芯國際位居 全球第四位，在中國大陸企業中排名第一。

大力研發加速追趕，研發費用率領先。中芯國際研發費用率維持高位，2018 年以 來研發費用率始終高于同行業的臺積電、聯電、華虹公司，公司在縱向追求更小 的晶體管結構的同時，持續利用已開發工藝節點的產線成本和性能優勢，開展橫 向衍生平臺建設，以滿足龐大的終端市場的應用需求，以及各細分市場中不同客 戶的差異化需求。

中國大陸 DRAM 自主化需求空間廣闊。當前中國大陸 DRAM 投片量占全球比重僅約 10%，顯著低于中國大陸半導體銷售額全球占比約 30%的水平，DRAM 自主化需求 空間廣闊。根據 TrendForce，2022Q4 全球主要 DRAM 廠商月平均投片量合計 159.1 萬片（12 英寸片），其中中國廠商占比約 5%。2023 年下游需求收縮，海外三大廠 減產，但國產存儲廠逆勢擴產，2023Q4 全球 DRAM 月均投片量合計為 135.1 萬片， 國產廠商份額約 9.8%。2024 年隨著下游需求逐步修復，海外三大廠產品價格提 升，稼動率修復，預計到年底全球 DRAM 月均投片量提升至 180.2 萬片，國產廠 商持續擴產，2024 年中國廠商份額仍維持在 10%左右。

大基金三期成立，注冊資本超前兩期總和。根據天眼查，2024 年 5 月 24 日，國 家集成電路產業投資基金三期股份有限公司成立，注冊資本 3440 億元，前幾大 股東中，財政部持股比例 17.4%，國開金融持股 10.5%，上海國盛持股 8.7%，建 設銀行、中國銀行、農業銀行、工商銀行分別持股 6.25%，亦莊國投和交通銀行 分別持股 5.8%。2014 年 9 月和 2019 年 10 月，大基金一期和二期成立，注冊資 本分別為 987.2、2041.5 億元，大基金三期注冊資本規模超過前兩期總和，股東 結構中，大基金三期的銀行股東占比顯著提升。 大基金二期入股長鑫，彰顯發展決心。根據企查查 2023 年 10 月 26 日變更記錄， 長鑫新橋存儲投資人發生變更，長鑫芯安出資額由 43.5 億元提升至 147.5 億元， 合肥鑫益合升出資額由 6.5 億元提升至 145.2 億元，此外新增大基金二期出資額 145.6 億元，公司總體獲得增資超過 380 億元。2024 年 2 月，武漢新芯注冊資本 由 57.8 億元提升至 84.8 億元，長江存儲持有武漢新芯 68.2%的股權。大力投入 推動國產存儲產業鏈升級發展。