電子行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：DUV時(shí)代刻蝕和沉積設(shè)備重要性凸顯.pdf

電子行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：DUV時(shí)代刻蝕和沉積設(shè)備重要性凸顯。多重圖形化及NAND三維化驅(qū)動(dòng)刻蝕、沉積設(shè)備占比提升。2004年以來(lái)沉積和 刻蝕類(lèi)設(shè)備在WFE中占比呈上升趨勢(shì)。刻蝕設(shè)備從2004-2008年的平均占比 14.6%，提升至2019-2023年的20.6%。沉積設(shè)備從2004-2008年的平均19.9%， 提升至2019-2023年的平均22.1%。我們認(rèn)為份額提升的主要原因是DUV時(shí)代， 邏輯和DRAM制程節(jié)點(diǎn)升級(jí)依靠多重圖案化以及NAND三維化層數(shù)增加，工藝流 程中對(duì)刻蝕和沉積的層數(shù)數(shù)量、難度的提升。

20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)引入多重圖形化技術(shù)，光刻機(jī)套刻精度、效率提升，沉積、刻蝕需求增加。臺(tái)積電2011年28nm制程節(jié)點(diǎn)規(guī)模量產(chǎn)后，2013年11月，公司16nm FinFET節(jié)點(diǎn)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。2014年臺(tái)積電20nm技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)，且應(yīng)用了創(chuàng)新 的雙重圖形化技術(shù)。2015年16nm FF+規(guī)模量產(chǎn)，2017年和2018年分別規(guī)模量 產(chǎn)N10和N7節(jié)點(diǎn)，從2019年開(kāi)始首次使用EUV技術(shù)，第一代產(chǎn)品是N7+。行 業(yè)在20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入多重圖形化技術(shù)階段，多重圖形化對(duì)光刻機(jī)的套刻精度、生 產(chǎn)效率提出更高要求，我們看到ASML自2008年推出TWINSCAN NXT:1950i以 后，NXT:1960Bi、NXT:1965Ci、NXT:1970Ci、NXT:1980Di等均圍繞套刻精度和 每小時(shí)處理晶圓片數(shù)進(jìn)行提升。此外，3D NAND向著垂直方向的發(fā)展（層數(shù)增 加），制造設(shè)備端對(duì)刻蝕（高深寬比刻蝕）和沉積設(shè)備亦顯著增加。

全球光刻進(jìn)入EUV時(shí)代。光刻工藝作為集成電路制造過(guò)程中最直接體現(xiàn)其工藝 先進(jìn)程度的技術(shù)，根據(jù)瑞利定律，減小波長(zhǎng)能夠提高光刻系統(tǒng)分辨率。ASML最 先進(jìn)TWINSCAN EXE:5000，使用波長(zhǎng)為13.5納米的光，單次曝光能夠?qū)崿F(xiàn)8nm 分辨率。臺(tái)積電自2019年開(kāi)始用EUV規(guī)模量產(chǎn)N7+制程節(jié)點(diǎn)。三星2020年宣 布成功出貨全球首批100萬(wàn)個(gè)基于EUV技術(shù)的D1x DDR4 DRAM模塊。美光目前 量產(chǎn)的DRAM均采用DUV光刻設(shè)備制造，公司已于2024年開(kāi)始試生產(chǎn)基于EUV 光刻的1γ DRAM，并計(jì)劃于2025年量產(chǎn)。2023年ASML EUV光刻機(jī)ASP超過(guò) 1.7億歐元，是ArFi約7200萬(wàn)歐元ASP的兩倍以上。EUV技術(shù)減少了多重圖 案化中的重復(fù)步驟，提升圖案精度，從而提高性能和良品率，并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。

中國(guó)大陸先進(jìn)制程、存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)高彈性。BIS升級(jí)出口管制措施，中國(guó)大陸無(wú)法 獲得EUV及先進(jìn)DUV光刻機(jī)。以ASML的光刻機(jī)參數(shù)為例，公司所有EUV設(shè)備 均使用13.5nm波長(zhǎng)光源，都在限制出口中國(guó)大陸范圍內(nèi)。此外ASML表示預(yù)計(jì) 自2024年開(kāi)始不再能獲得向中國(guó)大陸出貨其TWINSCAN NXT:2000i及更高端型 號(hào)設(shè)備的出口許可。中芯國(guó)際作為世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，2023 年銷(xiāo)售額位居全球純晶圓代工企業(yè)第四位，公司2018年以來(lái)研發(fā)費(fèi)用率始終 高于同行業(yè)臺(tái)積電、聯(lián)電等公司，在縱向追求更小的晶體管結(jié)構(gòu)的同時(shí)，持續(xù) 利用已開(kāi)發(fā)工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)線成本和性能優(yōu)勢(shì)，開(kāi)展橫向衍生平臺(tái)建設(shè)。此外， 中國(guó)大陸DRAM投片量占全球比重僅約10%，顯著低于中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷(xiāo)售額全 球占比約30%的水平，大基金三期落地，DRAM自主化需求空間廣闊。

堅(jiān)定不移推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速滲透。綜上我 們認(rèn)為DUV時(shí)代，中國(guó)大陸邏輯、存儲(chǔ)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)過(guò)程中，沉積和刻蝕設(shè)備重 要性凸顯。以北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技為代表集成電路高端裝備供應(yīng)商 已經(jīng)在刻蝕、沉積等領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。同時(shí)我們也非常看好國(guó)產(chǎn)化加速滲 透帶來(lái)的集成電路制造其他各環(huán)節(jié)機(jī)遇。