如何看待晶升股份的競爭力及成長空間？

技術(shù)賦能產(chǎn)品競爭力,產(chǎn)能擴充打開成長空間。

1.研發(fā)優(yōu)勢：公司研發(fā)實力雄厚，技術(shù)賦能產(chǎn)品競爭力

基于技術(shù)同源性拓展品類，持續(xù)提高晶體品質(zhì)及效率。晶體生長設(shè)備為復雜的多物 理場強耦合系統(tǒng)因而技術(shù)壁壘較高，公司基于高溫高真空晶體生長設(shè)備的技術(shù)同源 性，持續(xù)完成了藍寶石單晶爐、半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐技術(shù)的研發(fā)、改 進和迭代。此外，公司結(jié)合“晶體生長設(shè)備—工藝技術(shù)—晶體材料”產(chǎn)業(yè)鏈上下游 技術(shù)協(xié)同優(yōu)化的能力，在半導體級晶體生長設(shè)備領(lǐng)域掌握8大核心技術(shù)，以控制晶體 的缺陷率，保證晶體品質(zhì)及提高生產(chǎn)效率。分產(chǎn)品來看，（1）單晶硅爐：公司自主 研發(fā)的核心技術(shù)可保證晶體生長質(zhì)量的重復性、穩(wěn)定性和一致性，實現(xiàn)硅單晶微缺 陷水平、金屬含量及氧含量的有效精密控制，提高晶體品質(zhì)。

（2）碳化硅單晶生長 爐：公司自主研發(fā)的PVT法碳化硅單晶爐產(chǎn)品在高精度傳動、高精度溫度及壓力等 控制技術(shù)、晶體生長狀態(tài)可視化監(jiān)測技術(shù)及氣路系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計技術(shù)等方面具有優(yōu)勢， 可有效提升碳化硅晶體產(chǎn)品良率，縮短晶體生長周期。公司碳化硅單晶爐所生長晶 體目前可滿足制備碳化硅MOSFET器件的晶體缺陷要求。截止2023年3月31日，公 司擁有專利共76項，其中發(fā)明專利27項。此外，公司亦承擔“江蘇省科技項目-12英 寸半導體硅單晶爐研發(fā)”、“江蘇省高端裝備研制趕超工程項目-12英寸半導體硅單晶 爐”等項目，持續(xù)助力國內(nèi)半導體級晶體生長設(shè)備技術(shù)“自主可控”的進程。

核心技術(shù)人員多年耕耘晶體生長領(lǐng)域，持續(xù)加大研發(fā)投入力度。公司高度重視技術(shù) 研發(fā)團隊的建設(shè)和培養(yǎng)，持續(xù)引進專業(yè)人才，核心技術(shù)人員QINGYUEPAN（潘清躍）、 DAVIDKENNETHLEES曾任職于美國SPX公司（SPXC.N）凱克斯（KAYEX）單晶 爐研發(fā)部，具有多年晶體生長領(lǐng)域及半導體設(shè)備行業(yè)經(jīng)驗，分別帶領(lǐng)團隊成功研發(fā) 12英寸半導體級單晶硅爐及晶體生長工藝和半導體級單晶硅爐所需的工藝控制程序、 視覺控制系統(tǒng)等項目。此外，公司核心技術(shù)人員張熠、秦英謖曾有下游公司任職經(jīng) 歷。截止2022年6月30日，公司共有研發(fā)人員46人，占員工總?cè)藬?shù)的比例為33.09%， 較2021年提升6人；研發(fā)人員平均年薪為34.48萬元，較2021年提升2.07%。同時， 公司持續(xù)加大研發(fā)投入，2019~2021年公司研發(fā)費用分別為0.11/0.11/0.19億元，分 別占營收的48.71%/9.12%/10.12%，呈現(xiàn)穩(wěn)定上升趨勢。

2.產(chǎn)品優(yōu)勢：產(chǎn)品參數(shù)、下游量產(chǎn)進度均達國內(nèi)領(lǐng)先水平

單晶硅爐：產(chǎn)品參數(shù)方面，公司產(chǎn)品在設(shè)備規(guī)格指標參數(shù)、晶體生長控制指標參數(shù) 等方面已處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，且公司產(chǎn)品生長晶體品質(zhì)達到COP-FREE水平，可實 現(xiàn)下游12英寸成熟制程（28nm以上）半導體器件量產(chǎn)制造，較國內(nèi)競爭對手具有領(lǐng) 先性，但與國外競爭對手仍存在一定差距，S-TECHCo.,Ltd、PVATePlaAG單晶硅 爐均可滿足14nm工藝技術(shù)節(jié)點要求，目前公司產(chǎn)品的熱場結(jié)構(gòu)設(shè)計水平仍無法適配 下游高端產(chǎn)品工藝開發(fā)、晶體缺陷控制需要，需持續(xù)根據(jù)客戶工藝開發(fā)、下游芯片 產(chǎn)品驗證及認證反饋實施設(shè)計調(diào)整，以匹配更多下游應用領(lǐng)域產(chǎn)品工藝開發(fā)及應用 需要。

碳化硅單晶爐：產(chǎn)品參數(shù)方面，公司碳化硅單晶爐在設(shè)備規(guī)格指標參數(shù)和晶體生長 控制指標參數(shù)方面，與北方華創(chuàng)基本處于同一技術(shù)水平，具有競爭優(yōu)勢，可達到或 接近國外主流廠商技術(shù)水平。

3.客戶優(yōu)勢：客戶資源優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定，持續(xù)開拓新客戶

下游客戶認證壁壘高，覆蓋下游優(yōu)質(zhì)主流客戶，半導體級晶體生長設(shè)備銷售存在較 高的客戶認證壁壘，晶體生長設(shè)備、長晶工藝及制備的硅片/襯底需經(jīng)下游芯片廠商 認證，才可實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，此外，硅片/襯底材料廠商對半導體設(shè)備和制備工藝的 改動均需通知下游芯片廠商，更換已認證設(shè)備及制備工藝存在較高的更換成本及技 術(shù)風險，下游客戶認證壁壘較高。公司憑借優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務質(zhì)量，已覆蓋下游龍 頭企業(yè)或主流客戶，包括滬硅產(chǎn)業(yè)（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）、神工股份、 三安光電、東尼電子等。

單晶硅爐方面，根據(jù)公司第二輪問詢回復意見，公司12英寸產(chǎn)品目前已通過供應客 戶上海新昇，實現(xiàn)下游28nm以上制程工藝半導體器件的批量化生產(chǎn)，而晶盛機電主 要客戶TCL中環(huán)（中環(huán)股份）于2021年年報披露，“28nm以上產(chǎn)品已步入客戶量產(chǎn) 供貨階段，有望形成2022年業(yè)績增長點”，公司產(chǎn)品下游量產(chǎn)進度具有相對領(lǐng)先性。

碳化硅單晶爐方面，公司碳化硅單晶爐下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型碳化 硅晶體生長及襯底制備，主要應用于6英寸導電型襯底制備，應用器件主要為碳化硅 二極管、MOSFET，目前下游客戶三安光電碳化硅二極管產(chǎn)品于2021年實現(xiàn)量產(chǎn)， 在服務器電源、通信電源、光伏逆變器等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨；碳化硅MOSFET工業(yè)級產(chǎn)品處于客戶驗證階段，車規(guī)級產(chǎn)品正配合多家車企做流片設(shè)計及測試，量產(chǎn)應 用進度國內(nèi)領(lǐng)先。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上看，公司具備PVT、LPE法技術(shù)儲備，其中TSSG（LPE 法）單晶爐已成功研發(fā)并實現(xiàn)小規(guī)模銷售。

在手訂單增厚，持續(xù)發(fā)力新客戶開拓。截止2022年11月9日，公司在手訂單為452 臺/年。此外，公司亦持續(xù)開拓新客戶，單晶硅爐方面，公司與奕斯偉、超硅公司和 萬華電子等公司開展技術(shù)交流并保持跟進；碳化硅單晶爐方面，公司與比亞迪、通 威微和光興半導體等公司推進批量銷售并保持跟進，公司有望通過持續(xù)拓展客戶業(yè) 務，進一步提升市場份額及競爭力。

4.募投項目：技術(shù)升級及產(chǎn)能擴充，打開公司成長空間

公司IPO募集資金將主要投入產(chǎn)能擴充和技術(shù)研發(fā)升級，進一步提升公司成長潛力。 公司募投項目合計投資金額為4.76億元，其中（1）2.74億元投入總部生產(chǎn)及研發(fā)中 心建設(shè)項目，公司將持續(xù)圍繞晶體生長設(shè)備進行產(chǎn)能擴充，預計2025年實現(xiàn)達產(chǎn)， 完全達產(chǎn)后可分別實現(xiàn)單晶硅爐、碳化硅單晶爐年產(chǎn)量10/400臺，同時，公司將進 行晶體生長設(shè)備和長晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級，進一步對14~28nm工藝存儲用拋光 片單晶爐、MOSFET用6~8英寸碳化硅單晶爐和溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系 統(tǒng)項目進行技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，提高公司產(chǎn)品國產(chǎn)替代能力，同時提升公司在細分 業(yè)務領(lǐng)域的市場份額和競爭力。（2）2.03億元投入半導體晶體生長設(shè)備總裝測試廠 區(qū)建設(shè)項目，對公司現(xiàn)有產(chǎn)線進行產(chǎn)能補充，預計2024年實現(xiàn)達產(chǎn)，完全達產(chǎn)后可 分別實現(xiàn)單晶硅爐、碳化硅單晶爐年產(chǎn)量15/700臺。