晶盛機電在碳化硅襯底生產領域取得哪些技術突破？

公司在碳化硅襯底生產領域通過晶體實驗室和中試線的研究，已經在以下技術方面取得突破：

（1）通過有限元仿真模擬和實驗結合，推演晶體生長過程中傳質、傳熱和生長界面演變和缺陷形成等基礎 機理，完成 6-8 英寸晶體生長的熱場和設備開發，解決超高真空度的獲取、高溫及硅蒸汽腐蝕下的熱場穩定性 和均勻性、自動化控制等核心技術問題，為后續批量化穩定生產奠定基礎。

（2）籽晶固定技術：通過自主開發的夾持技術，大大提高籽晶的溫度均勻性，并抑制籽晶背面導致的缺陷 產生，有效提高晶體質量一致性及良率。經過第三方檢驗，目前中試線產出襯底片的微管和位錯達到業內要求。

（3）在半導體硅、藍寶石和碳化硅等硬脆材料加工技術的基礎上，通過多種研磨拋光技術路線的對比，發 揮出公司在半導體材料加工裝備的技術優勢，完成了加工中試線的技術路線選擇和布局。

客戶認可度高，已取得 23 萬片碳化硅襯底意向合同。公司憑借先進的技術、可靠的產品和完善的服務，在 業內積累了較高的品牌知名度，與產業鏈上下游廠商建立了良好的合作關系。截至 2022 年 3 月 10 日，客戶 A 已與公司形成采購意向，2022 年-2025 年公司將優先向其提供碳化硅襯底合計不低于 23 萬片，具體金額將參照 屆時市場價格確定，根據募投項目可行性研究報告的預測單價測算，該意向性合同預計金額為 13-14 億元。客 戶 A 在滿足同等技術參數和價格的前提下，將優先采購公司的碳化硅襯底產品。