HBM產能擴張對DRAM傳統應用市場的影響機制與傳導路徑

HBM與傳統DRAM共享晶圓產能，HBM產能擴張對傳統DRAM市場形成顯著擠出效應。從產能結構看，SK海力士、三星、美光三大廠商的HBM晶圓投入占比持續攀升，SK海力士已接近30%，三星和美光分別提升至約23%和19%。由于HBM生產需消耗更多晶圓產能（單顆HBM需多層DRAM Die堆疊），HBM產能占比提升直接壓縮傳統DRAM供應空間。

這種擠出效應在下游終端市場產生連鎖反應。智能手機領域，AI功能普及推動存儲容量需求提升，但存儲漲價導致2026年全球主要手機廠商出貨量顯著下降，小米將全年出貨預期下調約30%至9500萬部左右，OPPO和vivo降至9000萬部以下。新能源汽車領域，中端車型受存儲漲價影響最為嚴重，問界M7月銷量從高點超20000輛下跌至8383輛，M8銷量下滑至4007臺。按中性口徑估計，某國產中檔豪華車廠商因存儲成本上漲而減少的利潤高達13.7億元，單車銷售由盈轉虧。

存儲廠商的擴產決策面臨HBM高毛利與傳統DRAM基礎需求的平衡。一方面，HBM產品毛利率顯著高于傳統DRAM，且AI需求持續高增長，廠商有動力將更多產能轉向HBM；另一方面，傳統DRAM仍是消費電子、汽車電子等領域的基礎需求，過度擠出可能導致終端價格暴漲、需求萎縮，反噬長期市場。SK集團會長崔泰源已表示當前存儲價格處于非正常高位，若持續向終端傳導可能形成"芯片通脹"，削弱消費需求。因此，增加供給而非依賴漲價成為行業共識，中韓存儲龍頭均加速擴產以緩解供需錯配。

從設備投資角度，存儲擴產帶動薄膜、刻蝕、量測等設備需求增長，但廠商需在技術迭代節奏與產能釋放周期之間把握平衡，避免過度投資導致周期性波動。