半導體設備行業深度：AI發展帶動HBM需求爆發，看好半導體設備商充分受益.pdf

全球AI大模型訓練與推理需求持續膨脹，驅動GPU、ASIC等AI芯片出貨量快速提升，進而帶動高帶寬存儲器（HBM）需求爆發。HBM向更高容量、更多堆疊層數及更大帶寬方向演進，單芯片HBM配置持續升級，同時HBM生產對DRAM晶圓產能形成顯著擠占，導致全球DRAM供需維持緊平衡，存儲漲價潮向智能手機、新能源汽車等終端傳導，壓縮下游利潤空間并抑制需求。

核心測算與數據

全球HBM wafer需求量預計從2024年的2.9萬片/月增長至2028年的44.2萬片/月，年均復合增速超過90%；HBM產能占DRAM比重預計從2025年的17.1%提升至2027年的22.5%；AI需求占HBM產能比重從2025年的58.5%提升至2027年的79.5%。薄膜、刻蝕及量測設備合計占存儲設備資本開支超過50%。

產業鏈影響與投資邏輯

HBM帶動DRAM制程升級，3D NAND向更高層數發展，先進存儲單位產能設備投資額持續提升。國內外存儲廠商同步擴產，海外三星、SK海力士、美光加大HBM及先進DRAM投入，國內長鑫存儲、長江存儲擴產節奏加快。平臺化設備龍頭及薄膜沉積、刻蝕、量檢測等高價值量環節核心廠商有望充分受益，國產替代空間廣闊。