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光芯片行業深度報告：供需缺口持續，國產光芯片廠商成長空間打開。

本報告系統拆解光模塊光-電芯片協同機制與價值量結構，聚焦光芯片作為光電 轉換核心的關鍵地位，深度分析行業壁壘、供需格局及海內外廠商進展，明確 AI 算力爆發與技術升級背景下，國產廠商依托政策支持與產品突破，正迎來加 速替代的戰略窗口期。

光模塊核心功能是實現光電轉換。光模塊的高效運作依賴光芯片與電芯片的 協同配合，其中光芯片承擔光電轉換核心任務。激光器芯片是光模塊核心器 件，成本占比顯著（傳統 800G 模塊中激光器成本占比達 21%，硅光模塊中 成本占比達 9%），其選型與調制方式直接決定光模塊應用場景，當前市場形 成三大主流技術路徑：1）VCSEL 激光器適配短距傳輸場景；2）EML 主打 中長距高速傳輸；3）硅光方案采用 CW 光源且適配 CPO 技術，憑借低成本、低功耗優勢，LightCounting 預測 2026 年硅光滲透率將超 50%，成為高速率 光模塊主流選擇。

光芯片制造流程復雜且行業壁壘深厚。光芯片生產涵蓋襯底制造、外延、晶 圓制造、測試封裝四大環節。其中，1）技術端來看，外延與光柵工藝對設備 精度、參數控制要求達到納米級，工藝窗口窄，導致光芯片良率提升難度大；2）產能端來看，MOCVD、EBL 等核心設備交付周期疊加調試周期長達 1 年，高端 InP 襯底被海外廠商壟斷，且擴產周期較長，設備與材料雙重約束導致 行業整體擴產難度極大；3）產業鏈端來看，光芯片客戶驗證過程嚴苛、周期 漫長，從內部測試、模組廠商驗證、終端客戶認證落地量產，全流程周期約 2 年，客戶粘性極強，新廠商切入供應鏈難度極高。

當前光芯片處于供不應求狀態，供需失衡為國產廠商帶來戰略窗口期。1）需 求側，受 AI 推理需求爆發、數據中心組網規模擴大、云廠商自研 ASIC 三重 驅動，LightCounting 預測 2025 年光模塊銷售額達 238 億美元，疊加 NPO/CPO/OIO 技術持續打開增量空間，我們預計 2030 年全球激光器市場規 模有望破百億美元；2）供給側，高端產能被海外巨頭壟斷，InP 光芯片供需 缺口持續擴大，CW 光源憑借技術壁壘相對較低、擴產周期更短的優勢，成 為國產廠商快速切入下游主流供應鏈的先鋒方向。我們綜合供需情況判斷， 全球高速光芯片供需失衡格局預計將持續至 2027 年。