美光科技研究報告：存儲行業(yè)巨擘，AI時代大有可為.pdf

美光科技研究報告：存儲行業(yè)巨擘，AI時代大有可為。美光科技是全球存儲行業(yè)巨頭，已在DRAM和NAND Flash領(lǐng) 域建立了顯著的市場份額和技術(shù)優(yōu)勢，是全球僅有的三大HBM原 廠之一。AI時代下，HBM成為整個存儲領(lǐng)域的重要增長點，美光 科技跳過HBM3直接成功研發(fā)HBM3E實現(xiàn)彎道超車，進度追平海 力士，先于三星電子獲得英偉達驗證與訂單。本輪全球半導體周 期于2023年觸底，2024年開始有所回升，AI需求紅利仍將延續(xù)， 雖然短期內(nèi)受PC和智能手機端需求疲軟和暫時的買方去庫存策 略影響，DRAM漲幅受限、NAND略有下調(diào)，但中長期來看，隨著 AI應用在端側(cè)設(shè)備中的升級以及大模型逐步在端側(cè)進行本地化 部署，單位設(shè)備DRAM與NAND容量將持續(xù)增長，同時端側(cè)設(shè)備的 AI升級也將加速新一輪換機潮到來。

全球存儲行業(yè)巨擘，AI時代HBM大有可為。美光科技1978 年成立于美國愛達荷州，專注于存儲芯片這一半導體細分領(lǐng)域， 通過多年并購，成功將業(yè)務版圖擴展至DRAM、NAND閃存、 CMOS圖像傳感器等多樣化領(lǐng)域，市場份額也穩(wěn)坐存儲市場前三 把交椅，DRAM與NAND Flash為其核心業(yè)務。AI時代下，匹配 高算力的高帶寬存儲HBM成為整個存儲領(lǐng)域的重要增長點，目 前僅有海力士、美光和三星三家廠商能夠供給。2023年美光直接 跳過HBM3，與臺積電合作研發(fā)HBM3E，2024年一季度，其率 先宣布HBM3E 8Hi量產(chǎn)并供貨英偉達H200產(chǎn)品，與海力士節(jié)奏 同步，領(lǐng)先三星。三家HBM產(chǎn)品特性各有不同，形成互補且競 爭的局面，其中美光的產(chǎn)品在功耗和廣泛兼容性上表現(xiàn)突出，對 HBM在AI、HPC和圖形處理等領(lǐng)域的應用有獨到見解。

短期傳統(tǒng)DRAM整體偏中性，NAND略有疲軟。短期來看， 傳統(tǒng)DRAM雖然產(chǎn)能受HBM擠出導致供給有所改善，但傳統(tǒng)需 求PC和智能手機依舊疲軟，疊加買方去庫存策略，整體價格改 善不明顯，未來的價格回升一定程度依賴于PC和手機市場的回 暖。同時DDR5替代DDR4的進程正處于加速階段，DDR5的供 給廠商更為集中，議價能力更強，預計也將對美光DRAM整體 價格有所支撐。NAND受到消費電子疲軟的沖擊更大，除了受 AI服務器推動的企業(yè)級SSD之外，其他價格略有下降。

HBM 滲透率正在提升，AI 需求保持強勁，但對遠期供需持謹慎態(tài)度。AI 模型對高帶寬存力的需求導致 HBM需求旺盛，但受制于TSV產(chǎn)能，HBM供不應求，維持高溢價，2025年HBM3e產(chǎn)能已經(jīng)大量售出。盡管 三大廠商都有擴產(chǎn)，但新加產(chǎn)能最早2025年第二季度才能釋放。由于量產(chǎn)HBM3e 12hi的學習曲線長，三大廠 商能否如期落實 HBM3e 產(chǎn)能還有待驗證。同時中長期來看，受制于超大規(guī)模企業(yè)資本支出的不確定性，以及 模型從訓練轉(zhuǎn)入推理階段之后，AI芯片對HBM的高速拉動能否維持還有待驗證，廠商需要在短期擴產(chǎn)以滿足 需求和中長期過度建設(shè)導致供給過剩之間取得平衡。

本輪半導體存儲周期尚未結(jié)束，端側(cè)傳統(tǒng)需求可能成為未來市場的主要驅(qū)動力。盡管存在上述擔憂，但中 期而言，半導體存儲的前景依然光明。首先，隨著廠商減產(chǎn)計劃的完成和 HBM 的擠出效應，整體庫存水平將 逐漸回復到健康狀態(tài)，同時本次短期的買方去庫存行為難以長期持續(xù)，本輪半導體存儲周期尚未結(jié)束。其次， 隨著AI設(shè)備滲透率的逐漸上升，以及端側(cè)設(shè)備（PC和智能手機）在LLM中的角色從客戶端轉(zhuǎn)向模型推理本地 化，單位設(shè)備中DRAM和NAND的容量需求將持續(xù)提升，同時AIPC和AI手機也將帶動整體需求量的增長。 因此AI時代下，端側(cè)傳統(tǒng)需求在未來存儲市場可能依然是主要驅(qū)動力。