半導體行業：深度梳理全球半導體龍頭資本開支.pdf

AI服務器、數據中心及高性能計算需求持續增長，全球半導體制造投資進入上行階段，資本開支向先進邏輯、先進DRAM、HBM、NAND及先進封裝等高價值環節集中。

資本開支高位運行與結構集中

頭部廠商投資總量維持高位，臺積電2026年資本預算為600-640億美元，約70%-80%用于先進制程；美光2026財年資本開支指引上調至超過270億美元，增量主要投向存儲及新增設施；三星電子計劃投入超過110萬億韓元覆蓋存儲、代工及封裝；SMIC資本開支預計約81億美元。存儲成為本輪擴產的重要增量，高帶寬存儲與先進制程需求同步推動產能擴張。

全球項目密集推進與工程需求兌現

全球主要半導體項目正由投資規劃進入廠房建設、潔凈室施工及設備搬入階段。北美重點推進先進邏輯和本土存儲制造，臺積電亞利桑那項目、美光愛達荷及紐約基地加快建設；新加坡承接NAND制造及HBM封裝，美光、聯電、格芯等項目陸續量產或導入設備；韓國聚焦DRAM及HBM擴產，三星平澤及SK海力士龍仁集群進入集中建設期；中國大陸由晶圓代工、特色工藝和存儲制造驅動，SMIC、華虹、長鑫及長江存儲等項目持續推進。

晶圓廠投資測算框架

基于主要12英寸Fab樣本測算，成熟制程及特色工藝晶圓廠單位投資約為5.9—16.7億美元/萬片月產能，平均值9.3億美元，中國大陸項目相對較低，海外項目較高。先進邏輯項目單位投資顯著更高，如臺積電亞利桑那Fab 1約60億美元/萬片月產能。潔凈室單位產能所需面積約為0.6—1.1萬平方米/萬片月產能。投資差異受工藝節點、設備配置、建設地區及投資范圍等因素影響。