電子行業專題研究：SCM存儲，AI時代存儲分級的必選項.pdf

研究背景與核心命題

本報告由國盛證券電子研究團隊發布，聚焦SCM（存儲級內存）存儲技術在AI時代數據中心架構中的戰略定位與投資機遇。核心命題在于：隨著大模型推理、長上下文、KV Cache、RAG和向量檢索等AI應用場景的擴展，傳統DRAM-NAND二元存儲架構面臨性能空檔，SCM作為中間層級成為必選項。

技術定位與產品演進

SCM需同時滿足較傳統閃存更快的速度與NAND非易失特性。鎧俠第二代XL-FLASH已實現批量生產，提供128Gb SLC與256Gb MLC規格，讀取延遲控制在5微秒以內，預計英偉達storage next于2027年開始應用后將放量。SLC NAND擦寫壽命約100,000次，顯著優于MLC/TLC/QLC，但成本較高；PCM相變存儲器則在寫入周期、訪問時間、耐力等方面具備優勢，英特爾Optane DCPM已驗證其應用價值。

AI工作負載的架構重塑

未來數據中心存儲呈層級化分工：DRAM承擔主內存、HBM服務GPU高帶寬訪問、TLC/QLC承擔大容量存儲、SCM填補低時延非易失擴展層級。AI推理中的碎片化、高頻、實時路徑訪問特征，使傳統SSD擅長大塊順序讀寫的優勢無法發揮，XL-FLASH價值被放大。同時，KV Cache等業務的覆蓋寫特征抬升DWPD，驅動pSLC/pMLC方案與高比例OP配置。

投資機遇的三層分解

介質層：SLC NAND面臨量增（SCM需求爆發）與價增（2026年下半年合約價格較上半年有望調漲120%-170%）雙重邏輯，建議關注普冉股份、東芯股份、兆易創新、江波龍、新存科技；CXL層：互連芯片市場2024年約430萬美元，預計2030年達17.03億美元，年均復合增長率170.2%，建議關注Marvell、Astera Labs、瀾起科技；配套芯片層：企業級SSD主控芯片價格25-100+美金，VPD芯片隨eSSD需求同步擴張，建議關注聯蕓科技、聚辰股份、大普微。

風險提示

下游AI算力需求不及預期、高端SLC產品研發與客戶導入進度滯后、地緣政治導致的供應鏈擾動。