半導體行業深度報告：功率密度躍升驅動800V DC架構升級，寬禁帶功率器件打開成長空間.pdf

研究背景與目的

本報告由東吳證券發布，聚焦AI數據中心功率密度躍升背景下800V DC供電架構升級趨勢，分析寬禁帶功率器件（SiC、GaN）在其中的應用空間與成長機遇。隨著AI機柜功率從百千瓦級向兆瓦級演進，傳統低壓大電流供電方式面臨銅耗、線纜、空間等多重瓶頸，推動供電架構向800V DC升級。

核心邏輯

800V DC架構的本質是將傳統機柜內PSU承擔的AC/DC與DC/DC功能解耦：AC/DC外移至側邊柜或基建側，計算機柜內僅保留DC/DC降壓環節。SiC因高耐壓、低損耗特性更適合Power Rack側大功率AC/DC；GaN因高開關速度、低開關損耗更適合IT Rack側高頻DC/DC。

四階段演進路徑

第一階段（2026—2027年）：Sidecar推動AC/DC外移，PFC、LLC和BBU為核心增量，SiC成為PFC主流，GaN滲透LLC和BBU。

第二階段（2027—2028年）：800V DC下沉至計算節點，板載高頻DC/DC加速GaN滲透，探索800V直接降至12V/6V方案。

第三階段（2028—2029年）：整流環節集中上移灰區，MW級整流與直流保護系統成為核心增量，早期沿用硅基IGBT/晶閘管，中長期SiC替代。

第四階段（遠期）：SST直連中壓電網，SiC級聯與低壓GaN級聯兩條路線并行演進。

產業鏈標的

上游材料：天岳先進、天科合達；代工：芯聯集成；功率器件：斯達半導、士蘭微、華潤微、揚杰科技、東微半導、英諾賽科、時代電氣、新潔能、宏微科技、捷捷微電等。

風險提示

800V DC架構落地進度不及預期；寬禁帶器件滲透率及技術路線不及預期；行業競爭加劇及產品價格下行。