碳化硅襯底未來發展趨勢有哪些？

未來碳化硅襯底將向大尺寸發展，并且價格將下降。

1.產線向大尺寸轉移

全球SiC市場6英寸量產線正走向成熟，領先公司已進軍8英寸市場。 目前包括羅姆、Ⅱ-Ⅵ、Wolfspeed已具備成熟6英寸SiC襯底產線，正在向 8英寸市場進行開拓，例如，Wolfspeed的第一條8英寸SiC產線已在2022年 Q2開始生產，標志著全球第一條8英寸SiC產線的投產。

國內正在開發項目以6英寸為主。目前雖然國內大部分公司還是以4寸 產線為主，但是產業逐步向6英寸擴展，隨著6英寸配套設備技術成熟后，國 產SiC襯底技術也在逐步提升大尺寸產線的規模經濟將會體現，目前國內6英 寸的量產時間差距縮小至7年。更大的晶圓尺寸可以帶來單片芯片數量的提 升、提高產出率，以及降低邊緣芯片的比例，研發和良率損失部分成本也將 保持在7%左右，從而提升晶圓利用率。

2.SiC襯底價格將下降

襯底直徑及大直徑襯底占比將不斷增加，助力全產業鏈降本。預計未 來30年，大尺寸襯底的比例將不斷增加，在大部分襯底提供商具備新型大尺 寸量產能力，一輪尺寸更新周期迭代完成后，襯底單位面積價格會迎來相對 快速的降低。

SiC襯底價格會隨著尺寸增加有所下降，同時進一步帶來銷量的穩步上 升。目前襯底發展最重要的方向趨勢是擴大直徑，這會降低襯底生產成本， 進而降低售價，價格的下降也會加速SiC襯底在各領域內的滲透。根據CASA 數據預測，SiC襯底和外延隨著產業技術逐步成熟（良率提升）和產能擴張 （供給提升），預計襯底價格將以每年8%的速度下降。