碳化硅襯底的定義及分類是什么？

以下介紹的是碳化硅襯底的定義及分類。

襯底定義：沿特定的結晶方向將晶體切割、研磨、拋光，得到具有特定晶面和適當電學、光學和機械特性，用于生長外延層的潔凈單晶 圓薄片。

襯底分類：從電化學性質差異來看，碳化硅襯底材料可以分為導電型襯底（電阻率區間15~30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于 105Ω·cm）。這兩類襯底經外延生長后分別用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻 器件、光電器件等。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。 導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯 底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。