光芯片的性能直接決定光模塊的傳輸速率,是光通信產業鏈的核心之一。
1.光芯片位于光通信產業鏈上游
從產業鏈角度看,光芯片與其他基礎構件(電芯片、結構 件、輔料等)構成光通信產業上游,產業中游為光器件,包括光組件與光模塊,產業下游組裝 成系統設備。光器件是由光芯片、光纖及金屬連線組合封裝在一起,完成單項或少數幾項功能 的混合集成器件。光模塊是以光器件為核心,增加一些電路部分和結構功能件等完成相應功能 的單元。光設備與光模塊,結合光纖光纜實現光信息傳輸功能并提供運營服務。目前光通信主 要應用市場為電信市場、數據中心市場,其中:電信市場主要應用于骨干網、城域網、接入網 以及無線基站;數據中心市場主要應用于云計算、互聯網廠商數據中心等領域。
光芯片的性能直接決定光模塊的傳輸速率,是光通信產業鏈的核心之一。光通信產業鏈中, 組件可分為光無源組件和光有源組件。光無源組件在系統中消耗一定能量,實現光信號的傳導、 分流、阻擋、過濾等“交通”功能,主要包括光隔離器、光分路器、光開關、光連接器、光背 板等;光有源組件在系統中將光電信號相互轉換,實現信號傳輸的功能,主要包括光發射組件、 光接收組件、光調制器等。光芯片加工封裝為光發射組件(TOSA)及光接收組件(ROSA), 再將光收發組件、電芯片、結構件等進一步加工成光模塊。 光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片。激光器芯片主要用于發射信號,將電信 號轉化為光信號;探測器芯片主要用于接收信號,將光信號轉化為電信號。激光器芯片,按出 光結構可進一步分為面發射芯片和邊發射芯片,面發射芯片包括 VCSEL 芯片,邊發射芯片包 括 FP、DFB 和 EML 芯片;探測器芯片,主要有 PIN 和 APD 兩類。光芯片企業通常采用三五 族化合物磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)作為芯片的襯底材料,相關材料具有高頻、高低溫 性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,符合高頻通信的特點,因而在光通信芯片領域得到重 要應用。其中,磷化銦(InP)襯底用于制作 FP、DFB、EML 邊發射激光器芯片和 PIN、APD 探測器芯片,主要應用于電信、數據中心等中長距離傳輸;砷化鎵(GaAs)襯底用于制作 VCSEL 面發射激光器芯片,主要應用于數據中心短距離傳輸、3D 感測等領域。經過結構設計、組件 集成和生產工藝的改進,目前 EML 激光器芯片大規模商用的最高速率已達到 100G,DFB 和 VCSEL 激光器芯片大規模商用的最高速率已達到 50G。
2. 高速率光芯片市場增長迅速
隨著 AI 應用推動技術創新和市場需求的不斷增長,光芯片行業正迎來新一輪發展機遇。 未來全球光芯片市場將保持穩健的增長態勢,為整個光通信行業帶來發展動力。根據 C&C 的 測算,2024 年全球光芯片市場迎來強勁復蘇,增速有望超過 50%,將創歷年最高增長記錄。 2023-2027 年,全球光芯片市場的年復合增長率將達到 14.86%。高速率光芯片市場的增長速 度將遠高于中低速率光芯片。全球流量快速增長、各場景對帶寬的需求不斷提升,帶動高速率 模塊器件市場的快速發展,25G 及以上高速率光芯片市場增長迅速。根據 Omdia 對數據中心 和電信場景激光器芯片的預測,高速率光芯片增速較快,2019-2025 年,25G 以上速率光模塊 所使用的光芯片占比逐漸擴大。
光芯片市場的增長主要受益于以下三個關鍵因素:1)AI 帶動光通信產品結構變化,對高 速光通信解決方案的需求持續增長,從以 25G bps 為主流的芯片時代,邁向 100Gbps 時代, 正推動 200Gbps 光芯片的規模商用。2)AI 帶動數據中心、電信運營商城域網絡擴張,以及接 入網市場轉向更高速率的 50G PON 邁進,進一步推動光芯片的市場成長空間。3)更多廠商在 高速光芯片領域的技術突破和產能擴張,推動光通信技術向更多領域延展。在傳感領域,如環 境監測、氣體檢測,光芯片被用作傳感器,能夠檢測光信號并轉換為電信號,用于數據采集和 分析。在汽車領域,隨著傳統乘用車的電動化、智能化發展,高級別的輔助駕駛技術逐步普及, 核心傳感器件激光雷達的應用規模將會增大。基于砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的光芯片 作為激光雷達的核心部件,其未來的市場需求將會不斷增加。
2.1. 政策引導及信息應用推動流量需求快速增長,光芯片應用持續升級
我國政府在光電子技術產業進行重點政策布局。《“十四五”信息通信行業發展規劃》指明 信息基礎設施建設的目標,要求全面部署新一代通信網絡基礎設施,全面推進 5G 移動通信網 絡、千兆光纖網絡、骨干網、IPv6、移動物聯網、衛星通信網絡等的建設或升級;統籌優化數 據中心布局,構建綠色智能、互通共享的數據與算力設施;積極發展工業互聯網和車聯網等融 合基礎設施。工信部發布的《基礎電子元器件產業發展行動計劃(2021-2023 年)》中提出, 重點發展高速光通信芯片、高速高精度光探測器、高速直調和外調制激光器、高速調制器芯片、 高功率激光器、光傳輸用數字信號處理器芯片、高速驅動器和跨阻抗放大器芯片。中國電子元 件行業協會發布《中國光電子器件產業技術發展路線圖(2023-2027 年)》,明確爭取到 2027年,我國本土企業的光電子器件銷售總額達到 7300 億元;骨干企業的研發投入占營業收入總 額的比重達到 8%以上;產業結構進一步調整,產業鏈配套能力有所提升,企業競爭實力明顯 增強,標準化水平大幅提高。在規劃目標落地的過程中,光芯片需求量也將不斷增長。
隨著信息技術的快速發展,全球數據量需求持續增長。根據愛立信的測算,2023-2029 年, 不包括固定無線接入(FWA)產生的流量,預計全球移動數據流量將增長約 3 倍,到 2029 年 每月達到 313EB;當包括 FWA 時,預計總移動網絡流量將增長約 3.5 倍,到 2029 年每月上 升到466EB。5G在移動數據流量中的份額在2023年末為25%,比2022年末的17%增加8pct。 預計到 2029 年,5G 在移動數據流量中的份額將增長到大約 75%。2023-2029 年移動數據流 量預計將以大約 20%的復合年增長率增長。

光芯片應用場景不斷升級,光芯片需求持續增長。在不斷滿足高帶寬、高速率要求的同時, 光芯片下游應用市場不斷拓展。當前光芯片主要應用場景包括數據中心、4G/5G 移動通信網絡、 光纖接入等,都處于速率升級、代際更迭的關鍵窗口期。光芯片的應用逐漸從光通信拓展至醫療、消費電子和車載激光雷達等更廣闊的應用領域。
2.2. 數通市場: AI、云計算、大數據等技術對算力的需求推動數通市場發展,光芯片重要性 突顯
北美云廠商資本開支持續增長。海外 AI 產業持續提速,在數據中心建設方面,北美四大云 廠商 2024 年資本開支保持穩定增長,并且在技術基礎設施方面的投入有所增加,北美云廠商 的資本開支投入印證海外 AI 產業的蓬勃發展。2024 年前三季度,1)亞馬遜資本開支達到 516.1 億美元,同比增長 48.38%,預計 2024 全年的資本支出將達到約 750 億美元,并將在 2025 年 投入更多資金;2)微軟資本開支達到 397.5 億美元,同比增長 56.1%,微軟預計資本開支將 逐季增長,建設數據中心以支持其 AI 服務;3)谷歌資本開支為 382.6 億美元,同比增長 80.2%, 谷歌預計 2024Q4 資本支出將與 Q3 相似,且公司 2025 年的資本開支將高于 2024 年;4)Meta 資本開支達到 228.3 億美元,同比增長 16.5%,Meta 預計 2025 年全年的資本支出將顯著增長, 帶動 AI 基礎設施需求的高增長。
生成式 AI 推動數據中心規模增加。互聯網及云計算的普及推動數據中心快速發展,全球 互聯網業務及應用數據處理集中在數據中心進行,使得數據流量迅速增長,而數據中心需內部 處理的數據流量遠大于需向外傳輸的數據流量,使得數據處理復雜度不斷提高。根據 Synergy Research 的數據,超大規模供應商運營的大型數據中心數量在 2024 年初超過千個大關,超大 規模數據中心的總容量四年翻了一番,因為設施數量迅速增長,平均容量繼續攀升。以關鍵 IT 負載的兆瓦數衡量,美國占全球容量的 51%,歐洲占比 17%,我國占比約 16%。生成式 AI 技 術是規模增加的主要原因。
我國云計算產業持續景氣,云計算廠商建設大型及超大型數據中心不斷加速。據中國信通 院統計,2023 年我國云計算市場規模達 6165 億元,同比增長 35.5%,大幅高于全球增速。其 中,公有云市場規模4562億元,同比增長40.1%;私有云市場規模1563億元,同比增長20.8%。 隨著 AI 原生帶來的云計算技術革新以及大模型規模化應用落地,我國云計算產業發展將迎來新 一輪增長,預計到 2027 年我國云計算市場規模將超過 2.1 萬億元。政策層面,我國政府將云 計算作為產業轉型的重要方向,積極推動云計算、數據中心的發展。截至 2023 年,算力中心 機架規模穩步增長,我國在用算力中心機架總規模超 810 萬標準機架,總算力規模達 230EFLOPS,位居全球第二。算力基礎設施建設帶動光芯片市場需求的持續增長。
光芯片作為光模塊核心元件有望持續受益。光電子、云計算技術等不斷成熟,將促進更多 終端應用需求出現,并對通信技術提出更高的要求。光通信技術在數據中心領域得到廣泛的應 用,極大程度提高其計算能力和數據交換能力。光模塊是數據中心內部互連和數據中心相互連 接的核心部件,受益于信息應用流量需求的增長和光通信技術的升級,光模塊作為光通信產業 鏈最為重要的器件保持持續增長。LightCounting預計全球光模塊市場在2024-2028年將以15% 的年復合增長率擴張。對 AI 集群應用中以太網光模塊的強勁需求將是增長的主要因素,云廠商 運營的 DWDM 網絡的升級也將促進總量增長。數據中心內部用光模塊主要為以太網光模塊, LightCounting 預計以太網光模塊市場 2024 年增長 40%,2025 年增長超過 20%,2026-2027 年實現兩位數增長。高速率光模塊需求的增長將帶動 25G 及以上速率光芯片需求。
1.6T 光模塊批量商用的進程對光芯片提出更高要求。AI 推動模塊升級,單通道速率逐步 提升。隨著 AI 技術的快速發展,對算力的需求迅速增長,進一步推動 1.6T 光模塊的發展,預 計 1.6T 乃至更高速率的光模塊將成為數據中心內部連接的新技術趨勢,以配合未來更大帶寬、 更高算力的 GPU 需求。目前 1.6T 光模塊批量商用的進程正在加速,這一趨勢對光芯片提出 更高的要求,包括 200G PAM4 EML、CW 光源等在內的多種芯片將成為 1.6T 光模塊中光芯片 的解決方案。
2.3. 電信市場:5G 網絡建設及商用化促進電信側高端光芯片需求,千兆光纖網絡升級推動光 芯片用量提升
5G 移動通信網絡建設及商用化促進電信側高端光芯片需求。5G 移動通信網絡提供更高的 傳輸速率和更低的時延,各級光傳輸節點間的光端口速率明顯提升,要求光模塊能夠承載更高 的速率。5G 移動通信網絡可大致分為前傳、中傳、回傳,光模塊可按應用場景分為前傳、中 回傳光模塊,前傳光模塊速率需達到 25G,中回傳光模塊速率則需達到 50G/100G/200G/400G, 帶動 25G 甚至更高速率光芯片的市場需求。根據 LightCounting 的數據,全球電信側光模塊市 場前傳、(中)回傳和核心波分市場需求將持續上升,預計到 2025 年,將分別達到 5.88 億美 元、2.48 億美元和 25.18 億美元。電信市場的持續發展,將帶動電信側光芯片應用需求的增加。
千兆光纖網絡升級推動光芯片用量提升。FTTx 光纖接入是全球光模塊用量最多的場景之 一,而我國是 FTTx 市場的主要推動者。受制于電通信電子器件的帶寬限制、損耗較大、功耗 較高等,運營商逐步替換銅線網絡為光纖網絡。目前,全球運營商骨干網和城域網已實現光纖化,部分地區接入網已逐漸向全網光纖化演進。PON(無源光網絡)技術是實現 FTTx 的最佳 技術方案之一,PON 是指 OLT(光線路終端,用于數據下傳)和 ONU(光網絡單元,用于數 據上傳)之間的 ODN(光分配網絡)全部采用無源設備的光接入網絡,是點到多點結構的無源 光網絡。PON 技術傳輸容量大,相對成本低,維護簡單,有很好的可靠性、穩定性、保密性, 已被證明是當前光纖接入中非常經濟有效的方式,成為光纖接入技術主流。目前 PON 技術主 要包括 APON/BPON、EPON、GPON 和 10G PON,當前主流的 EPON/GPON 技術采用 1.25G/2.5G 光芯片,并向 10G 光芯片過渡。10G PON 技術支持數據上下傳速率對稱 10Gbps, 能夠更好地滿足各類高速寬帶業務應用的接入網絡需求。隨著新代際 PON 的應用逐漸推廣, LightCounting 預計 2025 年全球 FTTx 光模塊市場出貨量將達到 9208 萬只,年復合增長率為 7.92%,市場規模達到 6.31 億美元,年復合增長率為 5.93%。
“雙千兆”網絡發展推動光纖網絡建設,為我國光芯片產業發展帶來良好機遇。截至 2024 年 11 月,我國光纖接入(FTTH/O)端口達到 11.6 億個,占互聯網寬帶接入端口的 96.5%; 具備千兆網絡服務能力的 10G PON 端口數達 2792 萬個,比 2023 年末凈增 489.6 萬個。根據 《“十四五”信息通信行業發展規劃》,在持續推進光纖覆蓋范圍的同時,我國要求全面部署千 兆光纖網絡。以 10G PON 技術為基礎的千兆光纖網絡具備“全光聯接,海量帶寬,極致體驗” 的特點,將在云化虛擬現實(Cloud VR)、超高清視頻、智慧家庭、在線教育、遠程醫療等場 景部署,引導用戶向千兆速率寬帶升級。

PON 技術的進步和高速率電信模塊推動高端光芯片用量增長。當前 PON 技術跨入以 10G PON 技術為代表的雙千兆時代,10G PON 需求快速增長及未來 25G/50G PON 的出現將驅動 10G 以上高速光芯片用量需求大幅增加。同時,移動通信網絡市場,隨著 4G 向 5G 的過渡, 無線前傳光模塊將從 10G 逐漸升級到 25G,電信模塊將進入高速率時代。中回傳將更加廣泛 采用長距離 10km-80km 的 10G、25G、50G、100G、200G 光模塊,該類高速率模塊中將需 要采用對應的 10G、25G、50G 等高速率和更長適用距離的光芯片,推動高端光芯片用量不斷 增加。