SiC晶圓制造特定工藝與Si工藝的差異在哪？

SiC晶圓制造特定工藝與Si工藝的 一些差異點主要在于以下幾點。

（1）光刻對準。由于SiC晶圓是透明的，因此CD-SEM和計量測量變得復雜，光刻對準、設備傳送取片等難度較大。

（2）蝕刻工藝。由于SiC在化學溶劑中呈現惰性，因此同光使用干法蝕刻。則掩膜材料、掩膜蝕刻的選擇、混合氣體、側壁斜率的控制、蝕刻速率、側壁粗糙度 等都需要重新開發。

（3）高溫大劑量高能離子注入工藝。由于SiC器件的特性，SiC擴散溫度遠高于硅，傳統的熱擴散在碳化硅中并不實用，摻雜時只能采用高溫離子注入的方式。

（4）超高溫退火工藝。高溫離子注入會破壞材料本身的晶格結構，因此需要在惰性氣體中高溫退火來恢復結構，通常退火溫度高達1600-1700度，使SiC表面再 結晶并電激活摻雜劑。

（5）高質量柵極氧化層生長。較差的SiC/氧化硅界面質量會降低MOSFET反轉層的遷移率，導致閾值電壓不穩定，因此需要開發鈍化技術，以提高SiC/氧化硅界 面質量。