聯(lián)訊儀器在存儲芯片測試設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)化進展如何？

聯(lián)訊儀器在存儲芯片測試設(shè)備領(lǐng)域的布局依托于其深厚的技術(shù)積累與平臺化能力。公司在高速信號處理、微弱信號處理、超精密運動控制等領(lǐng)域形成了具備高度復用價值的核心技術(shù)體系，這些技術(shù)能力為存儲芯片測試設(shè)備的研發(fā)奠定了堅實基礎(chǔ)。

在產(chǎn)品布局方面，公司自主研發(fā)推出DRAM測試機等產(chǎn)品，填補國內(nèi)高速存儲測試機的空白。目前，公司HBM芯片KGD分選測試系統(tǒng)、高速存儲芯片測試系統(tǒng)均已完成樣機開發(fā)，并與國內(nèi)頭部半導體廠商簽訂了Demo訂單。HBM芯片以3D堆疊架構(gòu)及超低功耗優(yōu)勢，有望成為算力瓶頸的突破口，而裸Die測試占封裝成本超20%，技術(shù)難度較大，目前高端設(shè)備為海外廠商壟斷，國產(chǎn)化率為0%，公司產(chǎn)品有望實現(xiàn)突破。

在產(chǎn)業(yè)化方面，公司IPO募投項目之一"存儲測試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目"總投資3.85億元，建設(shè)期3年。項目建成后預計實現(xiàn)年產(chǎn)高速存儲芯片測試系統(tǒng)75臺、HBM芯片KGD分選測試系統(tǒng)50臺等。2025年中國存儲芯片測試設(shè)備市場規(guī)模為72.1億元，預計2029年增長至85.2億元，隨著國產(chǎn)存儲芯片廠商產(chǎn)能擴張，公司存儲測試設(shè)備業(yè)務(wù)有望迎來廣闊發(fā)展空間。